Індекс рубрикатора НБУВ: В381.61 + В379.32

Рубрики:

Метод ядерного магнітного резонансу (ЯМР) в ядерних дослідженнях

< Структура діелектриків >

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Предложена конструкция когерентного импульсного микроволнового моста с выходной мощностью до 10 Вт с временным разрешением 10–8 с при частоте повторения импульсов 1 кГц, предназначенного для спектрометров электронного спинового эха. Мост построен по гомодинной схеме на основе кремниевых лавинно-пролетных диодов, которые используются для модуляции и усиления СВЧ-мощности, поступающей от опорного генератора на диоде Ганна. Преимуществами моста являются оптимальная мощность и минимальная длительность импульсов, простота в управлении, а также низкая стоимость.

Запропоновано конструкцію когерентного імпульсного мікрохвильового мосту з вихідною потужністю до 10 Вт з часовим розділенням 10–8 с за частоти повторення імпульсів 1 кГц, призначеного для спектрометрів електронного спінового еха. Міст побудовано за гомодінною схемою на основі кремнієвих лавинно-пролітних діодів, які використовуються для модуляції і підсилення НВЧ-потужності, що надходить від опорного генератора на діоді Ганна. Перевагою моста є оптимальна потужність і мінімальна тривалість імпульсів, простота в управлінні, низька вартість.

The article presents a construction of a coherent pulsed microwave bridge with an output power up to 10 Wt with a time resolution of 10–8 seconds at a pulse repetition rate of 1 kHz designed for electron spin echo spectrometers. The bridge is built on a homodyne scheme based on IMPATT diodes, which are used for modulation and amplification of microwave power coming from the reference Gunn diode oscillator. The advantages of the bridge are optimal power and minimum pulse width, simple operation, low cost.

Встановлено властивості парамагнітних центрів у вуглецевомістких матеріалах методами стаціонарної та імпульсної радіоспектроскопії. У 6H, 4H, 15R політипах карбіду кремнію (SiC) n-типу визначено лігандну структуру для донорів азоту (N). Запропоновано, що донори N, що займають "К2" позицію в гратці 6H SiC з глибоким рівнем залягання в забороненій зоні, заміщують атоми Si, у той час як у 15R SiC збагачення зразків вуглецем (C) сприяє появі глибоких донорних станів N у трьох кубічних позиціях на атомах Si. Визначено механізми та часи спінової релаксації для донорів N у монокристалах 6H SiC. Установлено, що присутність стрибкової провідності, донорних кластерів та електронів провідності (ЕП) впливає на час фазової пам’яті донорів N. Виявлено та досліджено магнітні та електричні властивості ЕП у сильно- та слаболегованих монокристалах 6H, 4H, 3С SiC. Виявлено розмірно-залежний ефект для донорів N у наночастинках SiC. Виявлено триплетний центр від N-вакансійної пари в самовпорядкованих наноструктурах 6H SiC та визначені його параметри.