![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Семеренко М$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
|
| | | | |
1. |
Семеренко М. М. Моделювання вихідних вольт-амперних характеристик польового тетрода / М. М. Семеренко, О. М. Ковальчук // Вісн. Вінниц. політехн. ін-ту. - 1999. - № 1. - С. 82-85. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.Розроблена проста і досить точна (похибка до 10 ) статична модель двозатворного польового транзистора на основі структури метал-діелектрик-напівпровідник, що призначена для аналізу МДП великих інтегральних схем на підставі внутрішніх параметрів структури. Отримано вираз для вольт-амперних характеристик польового тетрода в ненасиченому і насиченому режимі з урахуванням польової залежності рухливості, а також для напруги насичення. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Семеренко М. М. Моделювання процесу іонної імплантації / М. М. Семеренко, Н. Л. Білоконь // Вісн. Вінниц. політехн. ін-ту. - 1999. - № 5. - С. 105-107. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Розглянуто деякі фізичні аспекти моделювання процесу іонної імплантації іонів фосфору в монокристалічній кремній у випадку середніх енергій імплантованих іонів. Запропоновано спрощену методику перебування проеційованих пробігів імплантованих іонів фосфору із середніми енергіями в монокристалічній кремнієвій мішені, що відрізняється високою точністю. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З852-03
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Осадчук В. С. Моделювання крутизни двозатворного польового транзистора / В. С. Осадчук, М. М. Семеренко, О. М. Ковальчук // Вісн. Вінниц. політехн. ін-ту. - 2000. - № 3. - С. 89-91. - Бібліогр.: 3 назв. - укp.Розроблено аналітичну модель крутості двозатворного польового транзистора, призначену для аналізу його підсилювальних властивостей на основі внутрішніх параметрів транзисторної структури. Математичні вирази отримано з урахуванням польової залежності рухливості носіїв заряду. Це дало можливість забезпечити похибку моделювання від 6 до 25 %. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Осадчук В. С. Моделювання передатних характеристик двозатворного польового транзистора / В. С. Осадчук, М. М. Семеренко, О. М. Ковальчук, О. В. Осадчук // Вісн. Вінниц. політехн. ін-ту. - 2000. - № 6. - С. 97-100. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.Розроблено математичну модель передатних характеристик двозатворного польового транзистора, призначену для аналізу перетворювачів частоти. Математичні вирази отримано з урахуванням ефективності першого та другого затворів. Похибка моделювання 5-10 %. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.359с116
Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Семеренко М. М. Математичне моделювання технологічних процесів та пристроїв ЕТ : Навч. посіб. для студ. радіоелектрон. спец. / М. М. Семеренко; Вінниц. держ. техн. ун-т. - Вінниця, 2001. - 126 c. - Бібліогр.: 42 назв. - укp.Викладено основи розробки та застосування методів автоматизованого наскрізного моделювання на всіх ланках сучасного електронного виробництва, від постановки задачі на моделювання до перевірки якості готового приладу. Висвітлено необхідність і можливість розробки усіх моделей з єдиних системних позицій з використанням досягнень нових інформаційних технологій. Індекс рубрикатора НБУВ: З85 я73-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА606654 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Семеренко М. М. Практикум з оптоелектроніки / М. М. Семеренко, Є. О. Смольков; Вінниц. держ. техн. ун-т. - Вінниця, 2003. - 117 c. - Бібліогр.: 24 назв. - укp.Викладено основи аналізу та дослідження сучасних оптоелектронних приладів. Розглянуто оптичні випромінювачі (світлодіоди, лазери) та напівпровідникові фотоприймачі (-резистори, -діоди, -транзистори, -тиристори). Изложены основы анализа и исследования современных оптоэлектронных приборов. Рассмотрены оптические излучатели (светодиоды, лазеры) и полупроводниковые фотоприёмники (-резисторы, -диоды, -транзисторы, -тиристоры). Індекс рубрикатора НБУВ: З861я73-5
Шифр НБУВ: ВА651413 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Семеренко М. М. Оптоелектроніка : Навч. посіб. для студ. бакалавр. напрямку / М. М. Семеренко; Вінниц. держ. техн. ун-т. - Вінниця, 2003. - 124 c. - Бібліогр.: с. 123-124. - укp.На єдиних системних засадах розглянуто фізичні процеси, характерні для оптоелектронних об'ємних і інтегральних приладових структур. На їх підставі проаналізовано конструктивні та технологічні особливості основних типів оптоелектронних приладів. Описано електромагнітні властивості світла, наведено елементи геометричної оптики, а також джерела оптичного випромінювання. С учетом системных позиций рассмотрены основы физических процессов, характерные для оптоэлектронных объемных и интегральных структур приборов. На их основе проанализированы конструктивные и технологические особенности основных типов оптоэлектронных приборов. Описаны электромагнитные свойства света, приведены элементы геометрической оптики. Освещены источники оптического излучения. Індекс рубрикатора НБУВ: З861я73-1
Шифр НБУВ: ВА643141 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|