Індекс рубрикатора НБУВ: У9(4Укр)8

Рубрики:

Економіка окремих країн і частин світу

Шифр НБУВ: Ж28369 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Квадрупольные поверхностные осцилляции атомных ядер в модели жидкой капли представляют парадигму для квантового хаоса. В зависимости от параметров ядра, соответствующий потенциал может иметь как один, так и несколько локальных минимумов. В последнем случае наблюдается смешанное состояние, которое является случаем общего положения в многоямных двумерных потенциалах. Исследованы квантовые проявления классической стохастичности в статистике энергетических уровней, структуре волновых функций и динамике волновых пакетов в смешанном состоянии.

Дан краткий обзор основных типов вычислительных задач, возникающих при исследовании проявлений квантового хаоса в конкретных физических моделях - нахождение энергетического спектра, получение стационарных волновых функций, моделирование временной эволюции волновых пакетов. Проанализированы достоинства, недостатки и особенности применения некоторых численных и аналитических методов решения подобных задач - метода диагонализации и спектрального метода решения уравнения Шредингера, различных методов разворачивания спектра и других. Продемонстрированы и объяснены преимущества спектрального метода перед методом диагонализации.

Проведено комплексное исследование термической стабильности субмикрокристаллических (СМК) материалов, имеющих различную структуру, выполненное рентгеновским структурным анализом в сочетании с ПЭМ и спектроскопией аннигиляции позитронов. Обнаруженные структурные особенности СМК Cu, Fe, Mg открывают возможность для развития более пригодной модели для изучения их с помощью рентгеновской дифракции.

Отмечено, что при каналировании быстрых заряженных частиц в кристалле существенными могут быть квантовые эффекты во взаимодействии частицы с полем кристаллической решетки. Показана возможность использования спектрального метода для определения квантовых характеристик процесса взаимодействия частицы с кристаллом при каналировании. На основании данного метода развита процедура вычисления уровней поперечного движения при плоскостном каналировании и рассмотрена задача о взаимодействии волнового пакета с потенциальным барьером, образованным потенциалом кристаллической плоскости.

Кольцевой бильярд - одна из наиболее популярных моделей для изучения фундаментальных свойств квантового и волнового хаоса в современной квантовой механике и микроволновой электродинамике. Рассмотрена модель, пригодная как в первой, так и во второй области: составной бильярд, состоящий из двух кольцевых бильярдов (хаотического и регулярного), соединенных узкой перемычкой (узким волноводом). С помощью численных методов исследованы распределения уровней энергии частицы (резонансных частот) и соответствующие пространственные распределения квадрата волновой функции (квадрата электрической компоненты поля). Продемонстрирована хаотизация движений в регулярном бильярде при слабом влиянии почти изолированного хаотического кольцевого бильярда. Показано существование смешанных регулярно-хаотических состояний в исследуемых бильярдах и указано их возможное применение в генераторах хаоса.

Рассмотрена адекватность нелинейной и нелинейно-параметрической моделей эквивалентного электрического сопротивления гранулированных токопроводящих сред в широком диапазоне изменения амплитуды напряжения разрядных импульсов. Предложены методики расчета сопротивления рабочей жидкости как составляющей гранулированных токопроводящих сред, а также поиска оптимальных значений коэффициентов функций, аппроксимирующих зависимости сопротивления таких сред от напряжения и тока. Исследованы зависимости параметров эквивалентной электрической E-R-схемы замещения гранулированных токопроводящих сред от амплитуды напряжения разрядных импульсов и приведены их аппроксимации аналитическими функциями.

Проанализировано развитие электрических моделей плазмоэрозионной нагрузки и дана оценка их адекватности. На основе нелинейной модели сопротивления плазмоэрозионной нагрузки, адекватной в широких диапазонах изменения напряжения и длительности разрядных импульсов, в программной среде Matlab Simulink создана модель выходной цепи генератора импульсов с такой нагрузкой и описаны ее особенности. Приведена оценка адекватности предложенной модели при сравнении результатов расчета временных зависимостей напряжения и тока разрядных импульсов, а также сопротивления нагрузки с данными, полученными в результате прямых экспериментов. Приведена зависимость относительных погрешностей напряжения и тока разрядных импульсов от амплитуды их напряжения, рассчитанных с учетом и без учета реактивных элементов схемы замещения нагрузки.

В программной среде Matlab Simulink проведено моделирование переходных процессов в выходной цепи генератора разрядных импульсов с нелинейной моделью плазмоэрозионной нагрузки, адекватной в широких диапазонах изменения их параметров. В результате моделирования получены и проанализированы зависимости от времени, а также от амплитуды импульсов напряжения и значений реактивных элементов выходной цепи генератора основных параметров разрядных импульсов и их производных. Впервые рассчитаны зависимости от времени и амплитуды импульсов напряжения значения зарядов, прошедших через плазменные каналы и рабочую жидкость. На основе анализа зависимостей их отношений определены диапазоны изменения напряжения и длительности импульсов, в которых его удельное электрохимическое действие минимально. Составлена карта электрических режимов плазмоэрозионной обработки гранулированной токопроводящей среды и разработаны рекомендации по управлению гранулометрическим составом плазмоэрозионных частиц.

Проанализированы методы повышения точности регулирования напряжения емкостных накопителей энергии и варианты их технической реализации. Приведены модели узлов зарядного устройства генератора разрядных импульсов установки плазмоэрозионной обработки гетерогенных токопроводящих сред и рассчитаны переходные процессы в них. Для идеального зарядного LC-контура найдена зависимость погрешности регулирования напряжения емкостного накопителя от его волнового сопротивления и отношения начальных условий на его элементах. Предложены алгоритмы управления порогом ограничения зарядного тока, обеспечивающие высокую точность регулирования напряжения емкостных накопителей при высокой скорости их заряда. Показано, что использование режимов, в которых частота следования импульсов заряда емкостных накопителей на порядки выше частоты следования разрядных импульсов, позволяет уменьшить погрешность регулирования напряжения на них до ± (1 - 3) % и менее.