Загальна кількість знайдених документів : 4 Представлено документи з 1 до 4
Категорія:
1.
Шеховцов Н. А. Электронно-дырочные процессы в антизапорном Im-n/i контакте / Н. А. Шеховцов, А. Н. Шеховцов // Радиофизика и электроника. - 2000. - 5, № 3. - С. 97-103. - Библиогр.: 12 назв. - рус.
Шеховцов А. Н. Дырочно-электронные процессы в ipsup+/sup - p/i диоде / А. Н. Шеховцов, Н. А. Шеховцов // Радиофизика и электроника. - 2000. - 5, № 1. - С. 147-153. - Библиогр.: 10 назв. - рус.
Шеховцов Н. А. Влияние емкости ipsup+/sup - n - nsup+/sup; /i и insup+/sup - p - psup+/sup; /i диодов на поглощение излучения 54 - 78 ГГц / Н. А. Шеховцов // Радиофизика и электроника. - 2000. - 5, № 1. - С. 142-146. - Библиогр.: 7 назв. - рус.
Шеховцов Н. А. Режим инжекции антизапорного контакта металл m полупроводник n-типа / Н. А. Шеховцов // Радиофизика и электроника. - 2005. - 10, № 1. - С. 132-138. - Библиогр.: 4 назв. - рус.