Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повний стислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (4)Журнали та продовжувані видання (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Belyaev A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 48
Представлено документи з 1 до 20
...
1.Ж16425 Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots [Текст] / P. M. Martin, A. E. Belyaev [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.7-12
2.Ж16425 Vitusevich S. A. Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.7-10
3.Ж16425 Belyaev A. A. Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.98-101
4.ІВ209499 Atanassova E. D.V.Lashkaryov Inst. of Semiconductor Phys. of the NAS of Ukraine, Bulg. Acad. of Sciences, Inst. of Solid State Phys. Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures [Текст] : monogr.
5.Ж26161 Belyaev A. V. The entire solutions of the Euler - Poisson equations [Текст] 56: 5 // Укр. мат. журн.-С.677-686
6.Ж72631 Kiselov V. S. Effect of Si infiltration method on the biomorphous SiC microstructure properties [Текст] 7: вип. 1 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.-С.237-243
7.Ж16425 Boltovets N. S. Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2000. т.Т. 3,N № 3.-С.359-370
8.Ж16425 Mazur Yu. I. Quaternary semimagnetic Hg1-x-yCdxMnySe crystals for optoelectronic applications [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 1999. т.Т. 2,N № 4.-С.37-45
9.Ж16425 Belyaev A. E. Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2004. т.Т. 7,N № 2.-С.175-179
10.Ж16425 Vlasenko N. A. Momentum relaxation of hot electrons during radiative intraband indirect transitions in ZnS:Cr [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2005. т.Т. 8,N № 1.-С.25-29
11.Ж16425 Arsentyev I. N. New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2005. т.Т. 8,N № 4.-С.104-114
12.Ж16425 Belyaev A. E. Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2005. т.Т. 8,N № 4.-С.65-71
13.Ж16425 Arsentyev I. N. Porous nanostructured InP: technology, properties, application [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2005. т.Т. 8,N № 4.-С.95-103
14.Ж16425 Vitusevich S. A. Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2006. т.Т. 9,N № 3.-С.66-69
15.Ж16425 Belyaev A. E. Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2007. т.Т. 10,N № 4.-С.1-8
16.Ж16425 Belyaev A. E. Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2008. т.Т. 11,N № 3.-С.209-216
17.Ж16425 Belyaev A. E. On the tunnel mechanism of current flow in Au - TiBx - n-GaN - i-Al2O3 Schottky barrier diodes [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2007. т.Т. 10,N № 3.-С.1-5
18.Ж16425 Kiselov V. S. Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2009. т.Т. 12,N № 1.-С.64-67
19.Ж16425 Kiselov V. S. Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2009. т.Т. 12,N № 1.-С.68-71
20.Ж16425 Marchylo O. M. Investigation of luminescent properties inherent to SrTiO3:Pr3+ luminophor with Al impurity [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2011. т.Т. 14,N № 4.-С.461-464
...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського