Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повний стислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Boltovets N$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 29
Представлено документи з 1 до 20
...
1.Ж16425 Boltovets N. S. Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2000. т.Т. 3,N № 3.-С.359-370
2.Ж16425 Boltovets N. S. Technology and experimental studies of contacts for microwave diodes based on interstitial phases [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2001. т.Т. 4,N № 2.-С.93-105
3.Ж16425 Boltovets N. S. Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2000. т.Т. 3,N № 3.-С.352-358
4.Ж16425 Venger Ye. F. Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au - Mo - TiBx - GaAs [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 1999. т.Т. 2,N № 3.-С.57-61
5.Ж16425 Boltovets N. S. Comprehensive studies of defect production and strained states in the silicon epitaxial layers and device structures based on them [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2001. т.Т. 4,N № 4.-С.318-322
6.Ж16425 Boltovets N. S. Properties of SiO2 - GaAs and Au - Ti - SiO2 - GaAs structures used in production of transmission lines [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2002. т.Т. 5,N № 2.-С.183-187
7.Ж16425 Boltovets N. S. SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2004. т.Т. 7,N № 1.-С.60-62
8.Ж16425 Boltovets N. S. A silicon carbide thermistor [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2006. т.Т. 9,N № 4.-С.67-70
9.Ж16425 Arsentyev I. N. New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2005. т.Т. 8,N № 4.-С.104-114
10.Ж16425 Belyaev A. E. Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2005. т.Т. 8,N № 4.-С.65-71
11.Ж16425 Boltovets N. S. Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb - GaAs(i) heterostructures [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2006. т.Т. 9,N № 2.-С.58-60
12.Ж16425 Arsentyev I. N. Porous nanostructured InP: technology, properties, application [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2005. т.Т. 8,N № 4.-С.95-103
13.Ж16425 Belyaev A. E. Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2007. т.Т. 10,N № 4.-С.1-8
14.Ж16425 Belyaev A. E. Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2008. т.Т. 11,N № 3.-С.209-216
15.Ж16425 Belyaev A. E. On the tunnel mechanism of current flow in Au - TiBx - n-GaN - i-Al2O3 Schottky barrier diodes [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2007. т.Т. 10,N № 3.-С.1-5
16.Ж16425 Belyaev A. E. Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2011. т.Т. 14,N № 4.-С.465-469
17.Ж16425 Belyaev A. E. Temperature dependence of contact resistance of Au - Ti - Pd2Si - <$E bold {n sup + - roman Si}> ohmic contacts [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2010. т.Т. 13,N № 4.-С.436-438
18.Ж16425 Belyaev A. E. The features of temperature dependence of contact resistivity of Au - Ti - Pd2Si - <$E bold p sup +>-Si ohmic contacts [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2010. т.Т. 13,N № 1.-С.8-11
19.Ж16425 Sachenko A. V. Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2012. т.Т. 15,N № 4.-С.351-357
20.Ж16425 Belyaev A. E. Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2013. т.Т. 16,N № 2.-С.99-110
...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського