![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Datsenko L$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
|
| | | | |
1. |
Datsenko L. I. Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing = Зміни структурної досконалості кристалів кремнію, вирощених методами Чохральського та безтигельної зонної плавки, після імплантації атомами кисню та неону з подальшим відпалом / L. I. Datsenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 56-61. - Библиогр.: 9 назв. - англ. Ключ. слова: кремній, вирощений методом Чохральського та плаваючої зони, преципітати SiOx, радіаційні пошкодження, іони кисню та неону, брег-дифракція рентгенівських променів, коефіцієнт відбивання, статичний фактор Дебая-Валлєра Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Klad'ko V. P. Influence of absorption level on mechanisms of Bragg-diffracted x-ray beam formation in real silicon crystals = Вплив рівня поглинання на механізми формування брег-дифрагованого пучка рентгенівських променів в реальних кристалах кремнію / V. P. Klad'ko, D. O. Grigoriev, L. I. Datsenko, V. F. Machulin, I. V. Prokopenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 157-162. - Библиогр.: 19 назв. - англ.Методом чисельного моделювання за формулами динамічної теорії розсіювання випромінювань реальними кристалами та за допомогою розв'язку рівнянь Такагі- Топена вивчені основні закономірності брег-дифракції рентгенівських променів в умовах сильного та слабкого поглинання. Встановлені механізми формування профілів просторового розподілу інтенсивності дифрагованих пучків в залежності від енергії випромінювання та структурної досконалості кристалів. Запропоновані формули для аналітичного опису профілів розподілу інтенсивностей, які враховують динамічні поправки (коефіцієнти екстинкції) для когерентної і некогерентної складових дифрагованої інтенсивності. Ключ. слова: пучки рентгенiвських променiв, брег-дифракцiя, коефiцiєнт вiдбивання , довжини поглинання та екстинкцiї, динамiчна теорiя розсiювання, структурнi дефекти, кластери Індекс рубрикатора НБУВ: В372.212
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Klad'ko V. P. Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy / V. P. Klad'ko, L. I. Datsenko, Z. V. Maksimenko, O. S. Lytvyn, I. V. Prokopenko, Z. Zytkiewicz // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 343-348. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.Методом аналізу енергетичних залежностей інтегральної відбивної здатності в області довжин хвиль рентгенівських променів, розташованих між К-краями поглинання компонент GaAs, для квазізабороненого рефлексу (200) досліджено ступінь відхилення від стехіометрії, а також параметри мікродефектів у плівках GaAs:Si/GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Grigoriev D. Energy-dispersive studies of the integrated reflectivity of bragg diffracted continuous X-ray spectrum for high-sensitive structure diagnostics of imperfect single crystal = Энергодисперсионные исследования интегральной отражающей способности и высокочувствительная структурная диагностика реальных монокристаллов при брэгг-дифракции тормозного спектра рентгеновского излучения / D. Grigoriev, S. Manninen, L. Datsenko, V. Khrupa, V. Molodkin, S. Galambosi, V. Klad'ko, V. Machulin // Металлофизика и новейшие технологии. - 2000. - 22, № 5. - С. 33-41. - Библиогр.: 19 назв. - англ.Запропоновано безеталонний метод вимірювання інтегральної відбивної здатності (ІВЗ) реальних (які містять дефекти структури) монокристалів, а також інтегрального параметра структурної досконалості - статичного фактора Дебая-Валлера, що може бути застосований до широкого діапазону довжин хвиль рентгенівського випромінювання (РВ). Досліджено бездислокаційні монокристали кремнію, вирощені за методом Чохральського, що характеризувались різним рівнем структурної недосконалості. Метод виявився особливо чутливим до дефектів кристалічної гратки в разі використання жорсткого рентгенівського випромінювання з довжиною хвилі меншою за 0,3 ангстрем. Застосування запропонованого методу на довжинах хвиль РВ 0,2 ангстрем дозволило більш як на порядок підвищити чутливість ІВЗ до структурних недосконалостей. Одержані експериментальні значення ІВЗ добре узгоджуються з передбаченнями динамічної теорії розсіяння рентгенівських променів на кристалах з однорідно розподіленими дефектами. Переваги запропонованого методу стають найбільш виразними в разі застосування синхротронних джерел рентгенівського випромінювання. Ключ. слова: integral reflectivity of crystals, defects, dynamical theory of scattering, X-rays, diffractometry Індекс рубрикатора НБУВ: К222.091 + К272.209.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Datsenko L. I. Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon / L. I. Datsenko, V. P. Klad`ko, P. M. Lytvyn, J. Domagala, V. F. Machulin, I. V. Prokopenko, V. B. Molodkin, Z. V. Maksimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 146-151. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24 + К230.26
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Klad'ko V. P. Effect of structure perfection of polar crystals on Friedel intensity ratio for X-ray reflections in the region of resonant frequencies = Влияние структурного совершенства полярных кристаллов на отношение интенсивностей фриделевских пар отражений рентгеновских лучей в области резонансных частот / V. P. Klad'ko, L. I. Datsenko, S. Manninen, Sz. Galambosi, V. B. Molodkin, V. F. Machulin // Металлофизика и новейшие технологии. - 2001. - 23, № 12. - С. 1595-1605. - Библиогр.: 14 назв. - англ. Ключ. слова: quasi-forbidden reflection, Friedel intensity ratio, resonant frequences, reflectivity Індекс рубрикатора НБУВ: К233.502
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Seitmuratov M. S. Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals / M. S. Seitmuratov, V. P. Klad'ko, O. I. Gudymenko, L. I. Datsenko, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 3. - С. 258-260. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.Using the technique of diffuse x-ray scattering at the "tails" of diffraction reflection curves, we analyze the effect of irradiation of dislocation GaAs crystals with high-energy neutrons on evolution of radiation clusters as a function of fluence and doping level. The effect of doping level on size of the above defects is shown to be considerable at low fluences. We advance a model for disordered regions in an irradiated crystal based on the results of x-ray experiments. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Kladko V. P. Investigation of superlattice structure parameters by using quasi-forbidden reflections / V. P. Kladko, L. I. Datsenko, A. A. Korchovyi, V. F. Machulin, P. M. Lytvyn, A. V. Shalimov, A. V. Kuchuk, P. P. Kogutyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3. - С. 392-396. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.Досліджено можливості неруйнівного рентгенівського методу для тестування короткоперіодних напружених надграток GaAs - AlAs. Для визначення параметрів структури шарів надграток і товщини цих шарів можна використати квазізаборонені рефлекси (200). Досліджено вплив нерегулярності перехідної області надгратки на форму дифракційних кривих і пружні напруження в шарах. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.13
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Klad'ko V. P. Investigation of GaAs/AlAs short-periodic superlattices by high-resolution X-ray diffractometry = Дослідження короткоперіодних надграток GaAs/AlAs за допомогою високороздільної рентгенівської дифрактометрії / V. P. Klad'ko, L. I. Datsenko, A. V. Kuchuk, Ja. Domagala, A. V. Shalimov, A. A. Korchovyi // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 1. - С. 79-84. - Библиогр.: 10 назв. - англ.За допомогою методу високороздільної рентгенівської дифрактометрії досліджено розсіяння рентгенівських променів у короткоперіодних надгратках (НГ) GaAs/AlAs. З використанням підгонки теоретичних кривих дифракційного відбиття до експериментальних одержано як параметри дифракції, так і структурні параметри НГ (товщини субшарів, рівень деформації в шарах). Установлено, що, незважаючи на значні величини деформацій у шарах НГ, їх когерентність і структурна досконалість є досить високою. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 + В372.134
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|