Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Diab F$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2

      
Категорія:    
1.

Diab F. M. 
On the differential properties of continuous functions = Про диференціальні властивості неперервних функцій / F. M. Diab // Укр. мат. журн. - 1999. - 51, № 8. - С. 1122-1125. - Библиогр.: 4 назв. - англ.

Введено та досліджено деякі нові диференціальні властивості неперервних функцій за допомогою геометричних властивостей їх похідних.


Індекс рубрикатора НБУВ: В161.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
2.

Boultif O. 
Computational study of the photovoltaic performance of CdS/Si solar cells: anti-reflective layers effect = Обчислювання фотоелектричних характеристик сонячних елементів CdS/Si: ефект антиблікових шарів / O. Boultif, B. Zaidi, S. Roguai, A. Mehdaoui, F. Diab, T. Bouarroudj, K. Kamli, Z. Hadef, C. Shekhar // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2023. - 15, № 2. - С. 02016-1-02016-4. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.

Фотоелектричне перетворення - це фотоелектронний процес, який передбачає взаємодію між фотоном та електроном. Мета роботи полягає в дослідженні фізичного принципу роботи фотоелектричного елемента на основі кремнію. Зовнішніми параметрами, які було визначено на основі фотоелектричної моделі, - струм короткого замикання, напруга холостого ходу і ефективність фотоелектричного перетворення. Проведено моделювання фотоелектричних параметрів за допомогою програмного забезпечення симулятора ємності сонячних батарей SCAPS-1D, математична модель якого базується на розв'язуванні рівнянь Пуассона для електронів і дірок. Для досліджень було використано ITO/CdS/Si та ZnO/Si/CdS. У даній роботі вивчено вплив температури та концентрації легування на дві структури сонячного елемента з гетеропереходом. Найвище значення ефективності для сонячної батареї з гетеропереходом ZnO/CdS/Si мало величину 29,3 %, для структури ITO/CdS/Si - 29,7 % завдяки впливу поглинаючого шару ITO.



Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського