We investigate the resolution of fuzzy (relational) equation systems with tolerances which are a certain extension of fuzzy equations considered f.i. in [3-5]. The extension of the concept of Higashi and Klir [3] enables us to describe the set of solutions to our problem (for given tolerances) by means of posets. In a second part we investigate an inverse problem: Given upper (lower) tolerances how to determine lower (upper) tolerances such that the arising problem becomes consistent? Numerical examples are given.

Діелектричні властивості кристалів фосфіту бетаїну (ВРІ), синтезованих прямо у порах матеріалів МСМ-41, досліджено в частотному діапазоні від 20 Гц до 1 МГц для температурного інтервалу від 100 до 400 К. Обрано три матеріали МСМ-41 з діаметрами пор у 2,0, 2,5 і 3,7 нм. Діелектричні спектри фосфіту бетаїну, обмеженого в цих молекулярних ситах, порівняно з результатами, одержаними з дослідження чистих матеріалів МСМ-41. Ніяких більших змін не було знайдено для матеріалу з найменшими порами, у той час як діелектрична реакція матеріалів МСМ-41 з порами 2,5 і 3,7 нм, що містять ВРІ, відрізняється значно від такої для порожніх пор, підтверджуючи успішне включення сегнетоелектричного матеріалу в пористу матрицю. Діелектричні аномалії, викликані фазовими переходами з параелектричної фази у антиферодисторсійну, знайдено відповідно за температури 369 і 354 К, але ніякий фазовий перехід у сегнетоелектричну фазу за низьких температур не спостерігався для досліджених зразків. Зазначено, що діелектрична реакція досліджених матеріалів є під сильним впливом молекул води, які були адсорбовані під час процедури готування зразків.