Пошуковий запит: (<.>A=Loboda A$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 32
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | Ж68850/фіз. Loboda A. V. Dynamics of interaction of atom with laser field. Photon echo and its use in the theory of neutral networks [Текст]: Вип. 8, ч. 2 // Наук. вісн. Ужгород. ун-ту. Сер. Фізика.-С.328-331
|
2. | Ж68850/фіз. Glushkov A. V. Bound states in quarkonium and superatoms systems: energy levels splitting [Текст]: Вип. 8, ч. 2 // Наук. вісн. Ужгород. ун-ту. Сер. Фізика.-С.394-396
|
3. | Ж24835 Loboda A. V. Sensing dynamics of the zone type multi-level system in a laser field: stochastization of vibrational motion for molecules in the multi-photon photoexcitation regime [Текст]: 2 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.-С.13-18
|
4. | Ж67522 Glushkov A. V. New general approach in the electron theory of catalytic processes on semiconductors and binary metallic materials [Текст]: Вып. 13 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.-С.18-21
|
5. | Ж67522 Loboda A. V. Electron-collision excitation cross-sections and strengths for Ne-like ion of Fe [Текст]: Вып. 15 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.-С.65-68
|
6. | Ж67522 Ignatenko V. M. Microwave ionization of rubidium Rydberg atoms: regular and stochastic features [Текст]: Вып. 16 // Фотоэлектроника.-С.109-112
|
7. | Ж67522 Glushkov A. V. Numerical modelling in populations differences dynamics for resonant levels of atoms nonrectangular form laser pulse: optical bistability effect [Текст]: Вып. 16 // Фотоэлектроника.-С.116-119
|
8. | Ж24835 Glushkov A. V. Sensing the capture of negative muon by atoms: energy approach [Текст]: 4 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.-С.31-35
|
9. | Ж24835 Glushkov A. V. Sensing the electron-collision excitation cross-sections for Ne-like ions of Fe in a plasma in the debye shileding approximation [Текст]: 2 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.-С.9-13
|
10. | Ж24835 Gurnitskaya E. P. Sensing the optimal plasma parameters for X-ray lasing: calculation of electron-collision excitation cross-sections for Ar-like plasma ions [Текст]: 1 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.-С.18-22
|
11. | Ж24835 Glushkov A. V. Sensing the optimal plasma parameters for X-ray lasing: debye shielding approach calculation of electron-collision excitation cross-sections for plasma ions [Текст]: 2 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.-С.20-24
|
12. | Ж67522 Khetselius O. Yu. Consistent quantum approach to quarkony energy spectrum and semiconductor superatom and in external electric field [Текст]: Вып. 17 // Фотоэлектроника.-С.129-131
|
13. | Ж67522 Loboda A. V. Quantum theory of collisions of the ultracold atoms with nanostructures [Текст]: Вып. 17 // Фотоэлектроника.-С.73-75
|
14. | Ж24835 Glushkov A. V. Dynamics of multi-layers neural networks on basis of photon echo: numerical realization with input rectangular pulse [Текст]: 4 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.-С.62-66
|
15. | Ж24835 Loboda A. V. Energy approach to electron capture and ionization processes in ion-atomic collision system [Текст]: 2 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.-С.30-36
|
16. | Ж24835 Loboda A. V. Quantum measure of frequency and sensing the collisional shift of the ytterbium hyperfine lines in medium of helium gas [Текст]: 1 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.-С.25-29
|
17. | Ж24835 Glushkov A. V. Basises of the laser-photoionization atomic processes in the isotopes and gases separator devices: new optimal schemes [Текст] 2: 1 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.-С.27-35
|
18. | Ж67522 Svinarenko A. A. Modeling and diagnostics of interaction of the non-linear vibrational systems on the basis of temporal series (application to semiconductor quantum generators) [Текст]: Вып. 18 // Фотоэлектроника.-С.76-83
|
19. | Ж67522 Loboda A. V. Positron-atom collisional spectroscopy: energy approach [Текст]: Вып. 20 // Фотоэлектроника.-С.40-43
|
20. | Ж67522 Loboda A. V. Relativistic approach to the recoil induced excitation and ionization of ions during capture of neutron [Текст]: Вып. 19 // Фотоэлектроника.-С.111-114
|
| |