![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Nevolin V$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
| | | | |
1. |
Nevolin V. S. Some peculiarities of electrophysical characteristics of Si - YBasub2/subCusub3/subOsub7/sub contacts: a possible energy structure of metal oxide ceramics / V. S. Nevolin, V. A. Skryshevsky // Functional Materials. - 2000. - 7, № 2. - С. 246-250. - Бібліогр.: 16 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В377.15 + Л428.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Nevolin V. S. Research of electric conductivity of Si - GdBaCuO film structures / V. S. Nevolin, P. P. Shevchuk // Functional Materials. - 2000. - 7, № 2. - С. 251-255. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.Проведено дослідження та аналіз вольт-амперної характеристики контактів пошарово травлених GdBaCuO-плівка/Si-підкладка структур залежно від типу провідності Si, рівня його легування та температури. GdBaCuO плівки нанесено магнетронним розпорошенням безпосередньо на Si без використання будь-яких буферних шарів. У процесі послідовного селективного травлення структури було виявлено силікатні та силіцидні шари, що утворились внаслідок взаємодії між кремнієм і GdBaCuO-плівкою стехіометричного складу. Проведено дослідження їх електропровідності та на основі цього запропоновано модифіковану зонну діаграму таких контактів. Головну роль під час переносу струму в ній відіграють механізми переносу заряду за перехідним шаром. Проведено порівняльний аналіз цих механізмів з механізмами переносу заряду в структурах високотемпературний напівпровідник - плівка - іонно-імплантований кремній. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + К663.033
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|