В роботі досліджувалася динаміка зміни інтенсивності фотолюмінесценції (ІФЛ) зразків поруватого кремнію (ПК), які під час їх старіння на повітрі зазнають дії лазерного опромінення (337 нм, 3.7 мВт). З'ясувалося, що під впливом УФ-опромінення ІФЛ швидко зростає і через кілька годин досягає "плато". Подальше опромінення призводить до спадання інтенсивності, що пояснюється ефектом втоми люмінесценції. В той же час для зразка, що не опромінювався, ІФЛ майже не змінюється за час експерименту. Виявилося, що на етапі початкового монотонного наростання ІФЛ після короткочасного (1-2 хвилини) припинення освітлення зразка лазером на кривій еволюції ІФЛ спостерігається аномалія у вигляді невеликого сплеску вниз, тоді як на ділянках монотонного спадання кривої ІФЛ ця аномалія являє собою сплеск угору. У випадку довготривалого (десятки годин) припинення освітлення аномалія була однотипною для всіх ділянок кривої ІФЛ. Описані результати пояснюються впливом двох конкурентних факторів: втоми люмінесценції та формування під дією світла нестабільних (молекулярних) хімічних зв'язків, які можуть перетворюватися на стабільні атомні.

Роботу присвячено експериментальним дослідженням кінетики сушіння одиночної краплі латексу в присутності домішок поверхнево-активних речовин і наповнювачів, які підвищують міцність. Дослідження, проведені на спеціальному стенді в Інституті технічної теплофізики НАН України, дозволили визначити основні закономірності сушіння крапель полімерної емульсії в залежності від різних домішок, що впливають на форму висушених частинок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В338.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.271

Рубрики:

Квантова теорія

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: surface resistance, single crystal, degradation of thin layer, high-T_c superconductivity
Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2

Рубрики:

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Д332.68с25

Шифр НБУВ: Ж14166 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г58я431

Шифр НБУВ: В276818/2 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Висвітлено теоретичні питання адсорбції газової хроматографії та полімерів, результати досліджень адсорбентів різних типів, каталізу та каталізаторів, іонного обміну, а також питання охорони здоров'я та навколишнього середовища.

Освещены теоретические вопросы адсорбции газовой хроматографии и полимеров, результаты исследований адсорбентов разных типов, катализа и катализаторов, ионного обмена, а также вопросы охраны здоровья и окружающей среды.

Для просторового моделювання можливостей виникнення аномального росту кристалічного зерна залежно від початкового текстурного стану полікристалічного матеріалу застосовано метод Монте-Карло (модель Поттса). Використання великої кількості різних початкових текстурних станів у моделюванні дало можливість побудувати діаграму, що відображає можливість росту зерна за аномальним механізмом як функцію текстурного стану матеріалу. Проаналізовано еволюцію текстури та аномальний ріст зерен, що належать до текстурної компоненти Госса, у сталі Fe - 3Si. Показано, що розвиток сильної текстурної компоненти Госса є можливою причиною виникнення аномального росту зерна у цій системі, навіть за відсутності затримки руху міжзеренної межі частинками другої фази.

Для просторового моделювання росту кристалічного зерна застосовано адаптований метод Монте-Карло. Запропонована модель дає можливість урахувати початковий текстурний стан матеріалу, а також вплив локального зерномежового розорієнтування кристалічної гратки на рухливість міжзеренної межі. Показано, що у випадку нетекстурованого початкового стану матеріалу кінетика росту зерна в модельному об'ємі відповідає класичній кінетиці нормального росту кристалічного зерна зі збереженням нормального розподілу зерен за розмірами. Моделювання росту зерен для різних вихідних текстурних станів модельного об'єму показало, що кінетика цього процесу суттєво залежить від поточного текстурного стану матеріалу. Так, середня швидкість росту зерен (що характеризується показником степеня в класичному рівнянні росту зерен) зменшується з формуванням сильної однокомпонентної текстури. Показано, що періоди уповільненого росту зерен характеризуються наявністю в мікроструктурі відносно великих зерен, оточених ділянками, заповненими меншими зернами. У таких випадках спостережено інший характер розподілу зерен за розмірами, що не відповідає нормальному розподілу.

Проведено опис неадіабатичного донорно-акцепторного (ДА) двохелектронного перенесення (ДЕП) за умов, коли міжцентрові електронні переходи відбуваються на фоні швидкої релаксації як в окремих підставах, що належать до різних електронних станів, так і між самими підставами, які відносяться до одного і того ж самого електронного стану. Показано, що ДА ДЕП виявляє себе як одноекспонентне перенесення між початковим та кінцевим електронними станами, а відповідна швидкість перенесення може бути представлена як сума синхронізованого та стрибкового електронних шляхів. Запропоновано модель двох специфічних (повторного та прямого) двохелектронних суперобмінних механізмів ДА ДЕП та з'ясовано умови, за яких вони реалізуються. Коли підстани зіставляються з протонованою та депротонованою формами транспортної системи, запропонована модель дозволяє пояснити залежність швидкості ДЕП від концентрації протонів у середовищі.

Наведено результати розрахунків теоретичної межі напруження зсуву для ГЦК-металів Cu, Ni, Ag, Au, Pd, Pt з використанням "універсальних" емпіричних потенціалів міжатомної взаємодії типу зануреного атома. Показано, що ефекти граткової релаксації відіграють важливу роль у формуванні проміжних дефектних структур і призводять до значного зменшення відповідних значень теоретичної межі плинності. Обговорено ефекти "антиадіабатичного" впливу на граничну міцність матеріалів за умов високошвидкісного навантаження.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж69973 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Отмечено, что CD150 относится к новому суперсемейству клеточных поверхностных рецепторов CD2/CD150. Экспрессия данного рецептора обнаружена на активированных Т- и В-лимфоцитах, моноцитах и дендритных клетках. Показано, что CD150 играет двойную роль в регуляции клеточных программ лимфоцитов путем передачи положительных и отрицательных сигналов. Задачей данного исследования явилось изучение экспрессии CD150 в клетках некоторых нормальных тканей человека, а также в опухолях различного гистогенеза с использованием методов иммуногистохимии. В результате проведенного анализа установлено, что вне гемопоэтической системы рецептор экспрессирован на клетках базалиомы, плоскоклеточного рака шейки матки, пищевода, прямой кишки и ротовой полости. Данные опухоли имеют эктодермальное происхождение, однако на их нормальных аналогах экспрессия CD150 не наблюдалась. Детальное изучение неходжкинских лимфом и лимфогранулематоза показало, что CD150 экспрессируется на злокачественных клетках при Т-клеточной лимфоме, лимфомах из клеток мантийной зоны (слабая экспрессия) и при диффузных крупноклеточных В-клеточных лимфомах с фенотипом активированных В-клеток, что соответствует экспрессии CD150 на их нормальных аналогах. При лимфогранулематозе экспрессия наблюдалась в патогномоничных клетках Ходжкина и Березовского - Штернберга. При всех исследованных лимфомах, за исключением лимфомы из клеток мантийной зоны, CD150 коэкспрессирован с адапторным белком SH2D1A. В связи с тем, что SH2D1A вовлечен в регуляцию передачи сигналов через CD150, коэкспрессия этих двух молекул может быть связана с патогенезом лимфом.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: bandpass filter, YBCO thin film, microwave characteristics, surface resistance, HTS
Індекс рубрикатора НБУВ: З844-040.27

Рубрики:

Радіоапаратура (радіоелектронна апаратура)

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: zirconia, alumina, powder nanocrystalline, synthesis hydrothermal, phase transition
Індекс рубрикатора НБУВ: К390.1

Рубрики:

Виробництво металевих порошків

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В192.15

Рубрики:

Наближене обчислення інтегралів

Шифр НБУВ: Ж64699 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31 + В314

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Квантова механіка

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ