Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повний стислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (3)Журнали та продовжувані видання (4)
Пошуковий запит: (<.>A=SVECHNIKOV$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 47
Представлено документи з 1 до 20
...
1.Ж16425 Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.11-14
2.Ж16425 Svechnikov S. V. Photosensitive porous silicon based structures [Текст] / S. V. Svechnikov, E. B. Kaganovich, E. G. Manoilov 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.13-17
3.Ж16425 Gorbach T. Ya. Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments [Текст] / T. Ya. Gorbach, R. Yu. Holiney [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.66-70
4.Ж26988 Fenenko L. I. Some electrical and photoelectrical properties of PEPC and 3,6-di-Br-PEPC based films with V2O5 nanoparticles [Текст] 49: 12(а) // Укр. фіз. журн.-С.А42-А47
5.Ж14063 Machulin V. F. Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in Cs3Bi2I9 layered crystals [Текст] 30: 12 // Физика низ. температур.-С.1283-1286
6.Ж16425 Evtukh A. A. Electron field emmision from laser produced silicon tip array [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2000. т.Т. 3,N № 4.-С.474-478
7.Ж16425 Fedorenko L. L Refractory contact to alpha-SiC produced by laser technology methods [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2001. т.Т. 4,N № 3.-С.192-195
8.Ж16425 Svechnikov G. S. Composite film structures containg ZnS, CdS nanoparticles prepared by MOC pyrolysis at low temperatures [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2004. т.Т. 7,N № 2.-С.157-160
9.Ж16425 Salkov E. A. On thermal emission of small-sized radiator [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2003. т.Т. 6,N № 2.-С.205-209
10.Ж16425 Kaganovich E. B. Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2002. т.Т. 5,N № 2.-С.125-132
11.Ж16425 Salkov E. A. Some properties of extremely restricted thermal radiation beams [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2003. т.Т. 6,N № 3.-С.386-391
12.Ж16425 Stronski A. V. Study of non-reversible photostructural transformations in <$E bold {roman {As sub 40 S} sub 60-x {roman Se} sub x}> layers applied for fabrication of holographic protective elements [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2002. т.Т. 5,N № 3.-С.284-287
13.Ж16425 Salkov E. A. A priori probabilistic model for the reliability of an "organized structure" [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2005. т.Т. 8,N № 3.-С.100-105
14.Ж16425 Fenenko L. 1,4-bis(2,2-diphenylethenyl)benzene as an efficient emitting material for organic light emitting diodes [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2007. т.Т. 10,N № 1.-С.77-82
15.Ж16425 Vlaskina S. I. Boron, aluminum, nitrogen, and oxygen impurities in silicon carbide [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2007. т.Т. 10,N № 2.-С.21-25
16.Ж16425 Vlaskin V. I. Flexible electroluminescent panels [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2007. т.Т. 10,N № 2.-С.16-20
17.Ж16425 Salkov E. A. Information capability of the thermal radiation noise (Analytical overview) [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2008. т.Т. 11,N № 1.-С.79-89
18.Ж16425 Morozovska A. N. The influence of size effects on local piezoelectric response of thin films [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2007. т.Т. 10,N № 4.-С.36-41
19.Ж16425 Morozovska A. N. Domain structure formation by using Scanning Probe Microscopy: equilibrium polarization distribution and effective piezoelectric response calculations [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2009. т.Т. 12,N № 2.-С.116-124
20.Ж16425 Morozovska A. N. Polar properties and local piezoelectric response of ferroelectric nanotubes [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2008. т.Т. 11,N № 4.-С.370-380
...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського