Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (3) | Журнали та продовжувані видання (4) |
Пошуковий запит: (<.>A=SVECHNIKOV$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 47 Представлено документи з 1 до 20 |
|||||
| |||||
| 1. | Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon = Граничні електронні властивості гетеропереходів на основі нанокристалічного кремнію / E. B. Kaganovich, S. I. Kirillova, E. G. Manoilov, V. E. Primachenko, S. V. Svechnikov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 11-14. - Библиогр.: 14 назв. - англ. Для вивчення електронних властивостей гетеропереходів Si нанокристалічна (nc-Si) плівка / Si монокристал (c-Si) використано метод температурних залежностей поверхневої фото-ерс. Досліджено два типи зразків, одержаних лазерною абляцією c-Si мішені з осадженням nc-Si плівок на підкладки, віддалені від мішені, та на площину мішені. Розраховано температурні залежності концентрації носіїв заряду, захоплених на пастки межі поділу гетеропереходу, розподіл густини граничних електронних станів за енергією. З'ясовуються зв'язки між умовами одержання гетеропереходів та їх граничними електронними властивостями. Ключ. слова: silicon, nanocomposite, boundary electronic states, surface photovoltage Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Svechnikov S. V. Photosensitive porous silicon based structures = Фоточутливі структури на базі пористого кремнію / S. V. Svechnikov, E. B. Kaganovich, E. G. Manoilov // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 13-17. - Библиогр.: 32 назв. - англ. Представлені результати електричних та фотоелектричних вимірювань двох типів Al/пористий кремній (ПК)/монокристалічний кремній (c-Si)/Al сендвич структур с тонкими та товстими шарами ПК, що одержані хімічним забарвлюючим травленням. Вольт-амперні характеристики та спектри фотовідгуків свідчать про те, що фоточутливість структур з тонкими шарами ПК переважно визначається гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а з товстими - ПК шарами. Властивості ГП з'ясовані в рамках зонної діаграми ізотипного ГП з протилежними напрямками вигину зон по обидва боки переходу завдяки високій концентрації дефектів на межі розподілу. ПК шари - фоточутливі, з максимумом чутливості біля 400-500 нм. Результати порівнюються з такими для структур на основі шарів ПК, що одержані eлектрохімічним травленням. Ключ. слова: porous silicon, photodiode, photoconduction, heterojunction Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Gorbach T. Ya. Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments = Спектроскопія електровідбиття та скануюча електронна мікроскопія кремнієвих мікрорельєфних пластин з різними попередніми обробками поверхні / T. Ya. Gorbach, R. Yu. Holiney, I. M. Matiyuk, L. A. Matveeva, S. V. Svechnikov, E. F. Venger // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 66-70. - Библиогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Fenenko L. I. Some electrical and photoelectrical properties of PEPC and 3,6-di-Br-PEPC based films with VV2DOV5D nanoparticles = Електричні та фотоелектричні властивості плівок на основі PEPC та 3,6-ди-Br-PEPC з наночастинками VV2DOV5D / L. I. Fenenko, M. F. Guba, P. S. Smertenko, L. M. Grebinska, S. V. Svechnikov // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 12(а). - С. А42-А47. - Библиогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Machulin V. F. Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in CsV3DBiV2DIV9D layered crystals / V. F. Machulin, F. V. Motsnyi, E. Yu. Peresh, O. M. Smolanka, G. S. Svechnikov // Физика низ. температур. - 2004. - 30, № 12. - С. 1283-1286. - Библиогр.: 30 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Evtukh A. A. Electron field emmision from laser produced silicon tip array / A. A. Evtukh, E. B. Kaganovich, V. G. Litovchenko, Yu. M. Litvin, D. V. Fedin, E. G. Manoilov, S. V. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 474-478. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Fedorenko L. L Refractory contact to alpha-SiC produced by laser technology methods / L. L Fedorenko, V. S. Kiseleov, S. V. Svechnikov, M. M. Yusupov, G. V. Beketov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 192-195. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Svechnikov G. S. Composite film structures containg ZnS, CdS nanoparticles prepared by MOC pyrolysis at low temperatures / G. S. Svechnikov, L. V. Zavyalova, N. N. Roshchina, I. V. Prokopenko, L. I. Berezhinsky, V. S. Khomchenko, O. S. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2. - С. 157-160. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Salkov E. A. On thermal emission of small-sized radiator / E. A. Salkov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 205-209. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. Розглянуто принципові можливості дистанційної ідентифікації випромінювача малого розміру шляхом детектування його теплового випромінювання. З феноменологічної точки зору проаналізовано поодинокий випромінювач малого розміру у моделі абсолютно чорного тіла. Показазано, що кількісні оцінки розміру та температури малого випромінювача за відсутності його оптичного зображення можливі шляхом аналізу флуктуацій його теплового випромінювання. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.132 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Kaganovich E. B. Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals / E. B. Kaganovich, S. I. Kirillova, E. G. Manoilov, B. E. Primachenko, S. V. Svechnikov, E. F. Venger, I. R. Bazylyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 2. - С. 125-132. - Бібліогр.: 23 назв. - англ. Досліджено вплив домішок електропозитивних (Au, Ag, Cu) та електронегативних (Al, In) металів на фотолюмінесцентні та електронні властивості плівок нанокристалічного кремнію (nc-Si), одержаних лазерною абляцією під час осадження їх на кремнієву (c-Si) підкладку. Виміряно часово-роздільні спектри фотолюмінесценції (ФЛ) та температурні залежності конденсаторної фотоерс. З'ясовано, що тільки Au суттєво збільшує інтенсивність і стабільність ФЛ, на три порядки за величиною підвищує час її релаксації, а також зменшує густину електронних станів на межі плівка - підкладка. Показано, що домішки металів суттєво впливають на фотоерс, яка виникає в плівках nc-Si, та захоплення нерівноважних електронів пастками у самих плівках і на межах їх поділу з підкладкою. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.24 + В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Salkov E. A. Some properties of extremely restricted thermal radiation beams / E. A. Salkov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3. - С. 386-391. - Бібліогр.: 21 назв. - англ. Фізичні властивості рівноважного теплового випромінювання розглянуто в межах моделі абсолютно чорного тіла для випадку вкрай обмежених потоків фотонів всередині ідеального (без втрат) оптичного каналу зв'язку. Обмеження, які накладаються співвідношеннями невизначеностей, використано для того, щоб визначити критичні взаємозв'язки між параметрами теплового випромінювання і розмірами теплового випромінювання та фотоприймача. До розгляду включено ефекти, обумовлені "обрізанням" числа мод теплового випромінювання у випромінювачі малого розміру (але не квантоворозмірного). Спектральну ефективність проаналізовано з точки зору кількості інформації, що міститься у просторово обмежених пучках теплового випромінювання. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.132 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Stronski A. V. Study of non-reversible photostructural transformations in $E bold {roman {As sub 40 S} sub 60-x {roman Se} sub x} layers applied for fabrication of holographic protective elements / A. V. Stronski, M. Vlcek, S. A. Kostyukevych, V. M. Tomchuk, E. V. Kostyukevych, S. V. Svechnikov, A. A. Kudryavtsev, N. L. Moskalenko, A. A. Koptyukh // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 3. - С. 284-287. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 13. | Salkov E. A. A IprioriD probabilistic model for the reliability of an "organized structure" / E. A. Salkov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 3. - С. 100-105. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 14. | Fenenko L. 1,4-bis(2,2-diphenylethenyl)benzene as an efficient emitting material for organic light emitting diodes / L. Fenenko, Guoliang Mao , Akihiro Orita , Junzo Otera , P. Smertenko, G. Svechnikov, Jun-ichi Nishide , Hiroyuki Sasabe , Chihaya Adachi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 1. - С. 77-82. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 15. | Vlaskina S. I. Boron, aluminum, nitrogen, and oxygen impurities in silicon carbide / S. I. Vlaskina, V. I. Vlaskin, S. A. Podlasov, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 2. - С. 21-25. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 16. | Vlaskin V. I. Flexible electroluminescent panels / V. I. Vlaskin, S. I. Vlaskina, O. Yu. Koval, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 2. - С. 16-20. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 17. | Salkov E. A. Information capability of the thermal radiation noise (Analytical overview) / E. A. Salkov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 1. - С. 79-89. - Бібліогр.: 32 назв. - англ. The main purpose of this overview is to make an effort at joining the widely spread practical tendency of "damping the noise" with the non-apparent but presumably perspective thesis "using the noise" through the realization of "information properties of noise". The paper deals with physical peculiarities of the equilibrium thermal radiation, which have been considered within the black body model for the case of ultimate restrained photon flows inside an ideal ("lossless") optical communication channel. Restrictions connected with the uncertainty relations have been used to determine critical interrelations between the thermal radiation parameters and the sizes of the thermal radiator and the ideal photodetector. The conception of the "intrinsic micro-amounts of chaos" has been proposed, and its usefulness was discussed. Principle feasibility has been considered for a distant identification of a small-sized thermal radiator by means of detecting its thermal radiation. A single small-size radiator has been phenomenologically treated within the black body model. It has been shown that it is possible to obtain a quantitative evaluation of the temperature and the size of a small-size radiator through measurement of the thermal radiation fluctuations in case when the optical image of the radiator is unavailable. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.7 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 18. | Morozovska A. N. The influence of size effects on local piezoelectric response of thin films / A. N. Morozovska, S. V. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 36-41. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 19. | Morozovska A. N. Domain structure formation by using Scanning Probe Microscopy: equilibrium polarization distribution and effective piezoelectric response calculations / A. N. Morozovska, G. S. Svechnikov, E. I. Shishkin, V. Y. Shur // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 2. - С. 116-124. - Бібліогр.: 23 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 20. | Morozovska A. N. Polar properties and local piezoelectric response of ferroelectric nanotubes / A. N. Morozovska, G. S. Svechnikov, E. I. Shishkin, V. Y. Shur // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 4. - С. 370-380. - Бібліогр.: 37 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| |||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського