Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (5)Журнали та продовжувані видання (1)
Пошуковий запит: (<.>A=TERENTYEV$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6

      
Категорія:    
1.

Biloshchytskyi A. 
Evaluation methods of the results of scientific research activity of scientists based on the analysis of publication citations / A. Biloshchytskyi, A. Kuchansky, Yu. Andrashko, S. Biloshchytska, O. Kuzka, O. Terentyev // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2017. - № 3/2. - С. 4-10. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.

Запропоновано метод знаходження скалярних оцінок та метод побудови інтегральних оцінок результатів науково-дослідної діяльності науковців. Останній базується на основі розрахунку метричних відстаней між точками багатовимірного простору, координати яких складаються зі скалярних оцінок. Ці методи можуть бути використані у процесі комплексного оцінювання науковців, вищих навчальних закладів.


Індекс рубрикатора НБУВ: Ч215

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Kostanovskyi V. 
Construction of a generalized probabilistic-physical model of reliability of a two-level active phased antenna array / V. Kostanovskyi, I. Machalin, O. Kozachuk, I. Terentyeva // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2019. - № 3/9. - С. 31-40. - Бібліогр.: 22 назв. - англ.

Наведено побудову узагальненої ймовірнісно-фізичної моделі надійності дворівневої АФАР багатофункціональної РЛС. У ході розробки фізичної моделі АФАР сформульовано визначення відмов випромінювальних каналів (ВК) та антеною решітки в цілому. Обрано визначальні параметри АФАР: потужність випромінювання, коефіцієнт посилення на передачу і верхній рівень ближніх бічних пелюсток. Це надало можливість сформулювати узагальнені критерії відмов АФАР у режимах на передачу і прийом, а також визначити допустиму кількість відмов ВК і прийомних модулів. Фізична модель надійності АФАР формалізується рівнянням, що описують відхилення визначальних параметрів антеною решітки за допустимі межі. У цьому випадку знаходяться граничні (допустимі) значення числа ВК і прийомних модулів, що відмовили, які забезпечують мінімально допустимі (критичні) значення визначальних параметрів АФАР. Для побудови ймовірнісної моделі надійності АФАР проведено ідентифікацію антеною решітки як ізотропної ієрархічної системи та виведено формулу для визначення середньої кількості працездатних ВК у багаторівневій структурі АФАР. Побудовано та формалізовано структурну схему надійності приймальної та передавальної підрешіток, приймальної та передавальної АФАР. Сформульовано визначення відмов приймальної та передавальної підрешіток, приймальної таі передавальної АФАР. Це надало можливість вивести аналітичні вирази для визначення середнього наробітку до відмови, ймовірності безвідмовної роботи, щільності розподілу наробітку до відмови та інтенсивності відмов підрешіток і АФАР. Як моделі відмов СВЧ елементів, транзисторів, ВК і прийомних модулів застосовано експоненціальний розподіл (для раптових відмов), дифузійний немонотонний розподіл (для поступових відмов) і композицію експоненціального та дифузійного немонотонного розподілів (за спільного прояву раптових і поступових відмов). Наведено ілюстративний приклад розрахунку середнього наробітку до відмови дворівневої АФАР, що включає 6400 ВК.


Індекс рубрикатора НБУВ: З95-5

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
3.

Garbuz V. V. 
Specific surface area, crystallite size and thermokinetic of oxide formation $E bold roman {gamma~symbol О~alpha -Al sub 2 O sub 3} nanopowders at 570 - 1470 K = Питома площа поверхні, кристалітний розмір та термокінетика формування нанопорошків оксиду $E roman {gamma~symbol О~alpha -Al sub 2 O sub 3} при 570 - 1470 K / V. V. Garbuz, V. A. Petrova, T. A. Silinskaya, T. F. Lobunets, O. I. Bykov, V. B. Muratov, T. M. Terentyeva, L. M. Kuzmenko, O. O. Vasiliev, O. I. Olifan, T. V. Homko // Поверхня : зб. наук. пр. - 2020. - Вип. 12. - С. 146-152. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К390.1-1 + Г582

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж68643 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
4.

Petrova V. A. 
Specific surface, crystallite size of AlBVB12D-nano of products of interaction "BN - Al" in vacuum = Питома поверхня, розміри кристалітів AlBV12D-nano продуктів взаємодії "BN - Al" у вакуумі / V. A. Petrova, V. V. Garbuz, V. B. Muratov, M. V. Karpets, T. A. Silinska, L. N. Kuzmenko, T. N. Terentyeva, A. A. Vasiliev, P. V. Mazur, T. V. Khomko // Поверхня : зб. наук. пр. - 2021. - Вип. 13. - С. 175-181. - Бібліогр.: 26 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: Г123.15 + Г123.25 + Г582

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж68643 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
5.

Gokhman A. 
Isochronal annealing of electron-irradiated tungsten modelled by CD method: influence of carbon on the first and second stages of recovering = Ізохронний відпал електронно-опроміненого вольфраму, моделювання за методом кластерної динаміки: вплив вуглецю на першу і другу стадії відновлення / A. Gokhman, D. Terentyev, M. Kondria // Вісн. Черкас. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2017. - № 1. - С. 29-37. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.

Еволюцію мікроструктури вольфраму під впливом електронного опромінення та після опромінюваного ізохронного відпалу досліджено з використанням мультімасштабного підходу, який базується на моделюванні методом кластерної динаміки. У цих симуляціях розглянуто вільні точкові дефекти (міжвузельні атоми та вакансії), кластери точкових дефектів із розміром до 10 000 мономерів, а також кластери, які складаються з атомів вуглецю та точкових дефектів. Зміну дефектної структури у процесі ізохронного відпалу вольфраму без домішків і вольфраму з вуглецем досліджено на першій стадії (температура ізохронного відпалу від 5 до 100 К) і другій стадії (температура ізохронного відпалу від 100 до 500 К) відновлення. Атоми вуглецю, вільні міжвузельні атоми, вільні вакансіі та вакансійні кластери з розміром до чотирьох вакансій розглянуто як рухомі об'єкти, дифузія яких відбувається у трьохмірному просторі. Кластери міжвузельних атомів, вакансійні кластери з розміром 5 і більше вакансій, а також кластери, які складаються з атомів вуглецю та точкових дефектів, розглянуто як нерухомі об'єкти. Вибор параметрів моделі, а саме, значення коефіцієнтів дифузії, енергії формування та енергію зв'язування точкових дефектів і точкових дефектів із атомами вуглецю базується на даних експерименту та результатів розрахунків із перших принципів. Деякі параметри моделі були додатково скореговані незначним чином для досягнення найкращого узгодження даних моделювання методом кластерної динаміки та експериментальних даних щодо впливу ізохронного відпалу на відновлення дефектної структури електронно-опромененного вольфраму. Експериментальний пік відновлення за температури 70 К на першій стадії у цілому добре відтворюється у моделюванні методом кластерної динаміки як для вольфраму без домішків, так і для вольфраму з вуглецем. Експериментальні піки відновлення на другій стадії відновлення дефектної структури вольфраму формуються, згідно з дослідженням, завдяки взаємодії точкових дефектів та атомів вуглецю.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.110.43 + К235.110.91

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж69408 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
6.

Garbuz V. V. 
Location of Al and Si atoms in substituted boron carbide = Розташування атомів Al та Si у заміщеному карбіді бору / V. V. Garbuz, V. A. Sydorenchuk, V. B. Muratov, L. N. Kuzmenko, A. A. Vasiliev, P. V. Mazur, M. V. Karpets, T. V. Khomko, T. A. Silinska, T. N. Terentyeva, L. O. Romanova // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2023. - 14, № 1. - С. 76-82. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.



Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 


 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського