Індекс рубрикатора НБУВ: В343.813

Рубрики:

Явище Керра

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

We report on resonant terahertz detection by two-dimensional electron plasma located in nanometric InGaAs and GaN transistors. Up to now, the biggest part of the research was devoted to GaAs-based devices as the most promising from the point of view of the electron mobility. The resonant detection was reported, however, only in the sub-THz range. According to predictions of the Dyakonov - Shur plasma wave detection theory an increase of the detection frequency can be achieved by reducing the length or increase the carrier density in the gated region. We demonstrate that the 1THz limit can be overcome by using ultimately short gate InGaAs and GaN nanotransistors. For the first time the tunability of the resonant signal by the applied gate voltage is demonstrated. We show that the physical mechanism of the detection is related to the plasma waves excited in the transistor channel (Dyakonov - Shur theory). We also show that by increasing of the drain-to-source current leads to a transformation of the broadband detection to a resonant and tuneable one. We can get resonant detection at room temperature. We finally discuss the possible application of detection by nanotransistors in different types of THz spectroscopy research.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.7

Рубрики:

Діелектричні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The dynamic behavior in the clamped edge stress of structures is not yet fully understood clearly; also, clamped structures involve uncertainty. This research presents a numerical and analytical study of clamped edge stress behavior due to the load imposed by the chip-cutting tool on a workpiece. Clamping system, which is made of H-13 steel and machining workpiece made of AISI 8620 steel are analyzed. The maximum clamped edge stress is analyzed through dynamic response, considering the machined part as a cantilever beam, involving the constitutive relations as well as the compatibility equations. The central differential equation of motion leads us to determine the modal stresses that are a primary characteristic of the structure and that are also distributed in it. Once the modal stress has been determined as well as the maximum amplitude at the free end of the specimen to be machined, it is possible to calculate the maximum clamped edge stress that is generated between both the specimen and the clamping system. Finally, a numerical analysis of the clamping jaw is performed for the discretised system and analyzed separately using the finite element method. Clamped edge stresses are assessed through a modal study using a set of numerical simulations to corroborate the modal stress estimated analytically. The results show that the clamped edge stress in the clamping system is a considerable influence in the design parameters of the structure. Therefore, complete knowledge of the dynamic response of the clamping system will lead to better structural design with the possibility of using different materials for the same purpose.

Метод інтегралів за траєкторіями у моделюванні Монте-Карло (ІТМК) для дуже простих моделей застосовано для з'ясування фізичних механізмів, що лежать в основі ізотопічного ефекту в сегнетоелектриках із водневими зв'язками. Зумовлені дейтеруванням геометричні ефекти у водневих зв'язках досліджено за допомогою загальної тривузлової моделі, в якій використовуються подвійний потенціал Морзе та потенціал Морзе між киснями; параметри моделі вибрано так, щоб пояснити різноманітні загальні властивості низки сполук із водневими зв'язками. З розрахунків у межах цієї моделі випливає виникнення геометричного ефекту (ефекту Уббелоде): видовження водневого зв'язка при дейтеруванні, і це згоджується з тим, що спостерігається в сегнетоелектриках із короткими водневими зв'язками. Використовуючи для параметрів потенціалів результати першопринципних розрахунків, розвинено одновимірну модель, в якій білінійні протон-протонні взаємодії розглядаються в наближенні середнього поля. Ця модель використовується для дослідження квантових ефектів у ядрах, які призводять до виникнення геометричного ефекту в кристалах KDP. Підхід ІТМК надає змогу виявити, що протони тунелюють більш ефективно вздовж одновимірного ланцюжка, ніж дейтрони; це спричиняє появу сильного притягувального центра, який зменшує відстань між атомами киснів. Цей механізм, який базується на кореляції між тунелюванням і геометричними змінами водневих зв'язків, призводить до виникнення сильного геометричного ефекту в ланцюжку у впорядкованій фазі за низьких температур, що добре узгоджується з експериментальними даними.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.702

Рубрики:

Фізика сегнетоелектриків (фероелектриків)

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ