Пошуковий запит: (<.>I=Ж14479<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 889
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж14479 Белянин А. Ф. 3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов [Текст]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.31-35
|
| 2. | Ж14479 Смольский С. М. Автодинные ЧМ-локаторы КВЧ-диапазона с непрерывным излучением [Текст]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.7-13
|
| 3. | Ж14479 Кравченко А. В. Активное термостатирование полупроводниковых СВЧ-генераторов [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.63-64
|
| 4. | Ж14479 Лепих Я. И. Акустоэлектронные сенсоры газа со слоистыми структурами [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.34-35
|
| 5. | Ж14479 Липинский А. Ю. Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.57-59
|
| 6. | Ж14479 Мокрицкий В. А. Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.15-17
|
| 7. | Ж14479 Вернер В. Д. Быстрее, лучше, дешевле (выставка "Электроника-2004", г. Мюнхен) [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.3-9
|
| 8. | Ж14479 Бончик А. Ю. Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n - GaAs:Si [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.3-4
|
| 9. | Ж14479 Кутний В. Е. Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов <$Egamma>-излучения [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.12-15
|
| 10. | Ж14479 Дружинин А. А. Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si - Ge [Текст]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.26-27
|
| 11. | Ж14479 Иванченко И. А. Двухволновой сенсор дистанционной селекции естественных поверхностей [Текст]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.43-45
|
| 12. | Ж14479 Добровольский Ю. Г. Двухспектральный фотоприемник [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.18-22
|
| 13. | Ж14479 Балицкая В. А. Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.7-11
|
| 14. | Ж14479 Ёдгорова Д. М. Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.39-42
|
| 15. | Ж14479 Иванченко И. А. Дистанционный оптико-электронный датчик с растровой решеткой [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.31-34
|
| 16. | Ж14479 Новиков В. В. Диэлектрическая релаксация Гавриляки - Негами [Текст]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.62-64
|
| 17. | Ж14479 Войцеховский А. В. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/<$Eroman bold {SiO sub 2 "/"Si sub 3 N sub 4 }> [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.35-38
|
| 18. | Ж14479 Ащеулов А. А. Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.38-39
|
| 19. | Ж14479 Берикашвили В. Ш. Интегрально-оптические волноводные дисперсионные элементы для ВОЛС [Текст]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.10-16
|
| 20. | Ж14479 Нинидзе Г. К. Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.54-57
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка
