Розвинуто метод кластерного розкладу для двочасових функцій Гріна термодинамічного потенціалу й електропровідності невпорядкованого кристала. Електронні стани системи описано у рамках багатозонної моделі сильного зв'язку. Здійснено розрахунки на базі діаграмної техніки для температурних функцій Гріна. За нульове одновузлове наближення у цьому методі кластерного розкладу вибрано наближення когерентного потенціалу. Показано, що внески процесів розсіяння електронів і фононів на кластерах зменшуються зі збільшенням кількості вузлів у кластері за деякими малими параметрами. Досліджено ефекти на підставі частотної залежності оптичної провідності невпорядкованих сплавів і напівпровідників, зумовлені виникненням квазіщілини в енергетичному спектрі електронів внаслідок сильних електронних кореляцій (кулонівської квазіщілини) й атомного впорядкування.