Вперше вивчено структуру та побудовано фізичну модель дифузії аргону в порошковому вольфрамі під час обробки в низькоенергетичній плазмі жевріючого розряду аргону. Показано, що за опромінення порошкового вольфраму іонами аргону в низькоенергетичній плазмі жевріючого розряду іони аргону не залишаються локалізованими в тонкому приповерхневому шарі, а поширюються на значні відстані в об'єм матеріалу від поверхні, що опромінюється. Методом радіоактивних ізотопів визначено глибини проникнення в моно-, полікристалічний та порошковий вольфрам. Показано, що радіаційні дефекти типу Френкеля збільшують концентрацію вакансій, як у решітці зерен, так і в межі зерен, що призводить до дифузії атомів Sі та Ті в силіцидний шар за вакансійним механізмом. Вперше показано, що низькоенергетична термоіонна обробка, що призводить до утворення радіаційно-стимульованих дефектів, супроводжується дифузією атомів переважно за вакансійним механізмом.