Встановлено оптимальні технологічні умови легування кристалів ZnS, ZnSe, ZnTe титаном, ванадієм, хромом, залізом, кобальтом та нікелем. Наведено результати досліджень оптичних, люмінесцентних, електрофізичних, фотоелектричних властивостей кристалів. Вперше проведено детальні спектроскопічні дослідження оптичного поглинання та люмінісценції за участю високоенергетичних збуджених станів іонів перехідних металів в цинксульфідних кристалах. Виявлено та ідентифіковано нові серії ліній у видимій і ближній ІЧ-області спекрів поглинання кристалів ZnS, ZnSe, ZnTe, легованих Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni. Визначено коефіцієнти дифузії домішок титану, ванадію, хрому, заліза, кобальту та нікелю в кристалах сульфіду, селеніду і телуриду цинку. Ідентифіковано оптичні переходи, які відбуваються в межах домішкових центрів перехідних елементів.