Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Формат представлення знайдених документів:
повний стислий
 Знайдено в інших БД:Віртуальна довідка (2)Наукова електронна бібліотека (338)Автореферати дисертацій (565)Книжкові видання та компакт-диски (1146)Журнали та продовжувані видання (62)
Пошуковий запит: (<.>K=КВАНТ$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6423
Представлено документи з 1 до 20
...
1.Ж16425 Piskovoi V. N. (M, N)-exponential model in the theory of excitons [Текст] / V. N. Piskovoi, Ya. M. Strelniker 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.18-32
2.Ж14597 Литвинко А. С. 100-летний квант [Текст]: 4 // Наука та наукознавство.-С.106-113
3.Ж16425 Snopok B. A. A biosensor approach to probe the structure and function of the adsorbed proteins: fibrinogen at the gold surface [Текст] / B. A. Snopok, K. V. Kostyukevych [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.121-133
4.Ж26988 Degod Y. Ya. A Model of the Spatial Distribution Kinetics for Electron Excitations in X-Ray Track [Текст] 44: 4 // Укр. фіз. журн.-С.482-486
5.Ж16425 Demidenko A. A. Amplification of localized acoustic waves by the electron drift in a quantum well [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.11-24
6.Ж26988 Alexeyev C. N. Angular Momentum and Spin-Orbit Interaction in Weakly Guiding Fibers [Текст] 44: 6 // Укр. фіз. журн.-С.694-700
7.Ж16425 Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots [Текст] / P. M. Martin, A. E. Belyaev [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.7-12
8.Ж16425 Daweritz L. Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices [Текст] / L. Daweritz, H. Grahn [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.45-49
9.Ж16425 Khizhnyak A. Characteristics of thermal lens induced in active rod of cw Nd:YAG laser [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.147-152
10.Ж26988 Halsall M. P. Characterization of ZnS/ZnSe quantum wells grown by photoassisted vapour phase epitaxy [Текст] 46: 8 // Укр. фіз. журн.-С.865-869
11.Ж68850/фіз. Glushkov A. V. Consistent quantum-mechanical theory calculation of electron-positron pair production in heavy atomic nucleus collisions. Atomic parity nonconservation effect [Текст]: Вип. 8, ч. 2 // Наук. вісн. Ужгород. ун-ту. Сер. Фізика.-С.391-393
12.Ж68850/фіз. Tomaka G. Controlling of the thermal stress in the multiple quantum wells using magnetophonon spectroscopy [Текст]: Вип. 8, ч. 2 // Наук. вісн. Ужгород. ун-ту. Сер. Фізика.-С.132-137
13.Ж16425 Torchinskaya T. V. Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon [Текст] / T. V. Torchinskaya, N. E. Korsunskaya [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.61-65
14.Ж26988 Sannikov-Proskurjakov S. S. Elementary particles in a new quantum scheme. 2 [Текст] 46: 10 // Укр. фіз. журн.-С.1019-1027
15.Ж16425 Shevchenko V. B. Evidence for photochemical transformations in porous silicon [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.50-53
16.Ж29221 Krieg M. Extraction of rate equation parameters for quantum well laser diodes using DC and small signal measurements [Текст]: Вып. 110 // Радиотехника:Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон.-С.14-24
17.Ж26988 Klimontovich Yu. L. From Classical to Quantum Theory of Open Systems [Текст] 45: 4-5 // Укр. фіз. журн.-С.463-478
18.Ж26988 Ganapolskii E. M. Hypersonic Waves in the Investigation of Quantum Resonant Phenomena in Solid State [Текст] 43: 12 // Укр. фіз. журн.-С.1578-1589
19.Ж29221 Christol P. Importance of the Coulomb effect and ordering in the design of Sb-based mid-infrared MQW emitting structures [Текст]: Вып. 110 // Радиотехника:Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон.-С.3-13
20.Ж16425 Klad'ko V. P. Influence of absorption level on mechanisms of Bragg-diffracted x-ray beam formation in real silicon crystals [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.157-162
...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського