Пошуковий запит: (<.>K=FABRICATED<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 112
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | Ж16425 Volodin N. M. Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.78-83
|
2. | Ж14161 Koval' Yu. M. The shape memory effect in the thick film alloy fabricated by vacuum arc deposition [Текст] 22: 10 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.28-31
|
3. | Ж14159 Stanishevsky A. Fabrication of submicron structures in CVD diamond by focused ion beam [Текст]: 6 // Сверхтвердые материалы.-С.4-8
|
4. | Ж69254 Ткачев Р. О. Исследование эффективности технологических смазок при обжиме труб [Текст]: Вип. 14 // Вісн. Приазов. держ. техн. ун-ту.-С.175-177
|
5. | Ж14479 Колежук К. В. Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.51-52
|
6. | Ж26618 Зайченко Л. М. Фізико-хімічні особливості виготовлення Fe-електродів та їх застосування у вторинних Ni-Fe-джерелах струму [Текст] 4: 4 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.754-757
|
7. | Ж14479 Сольский И. М. Выращивание крупногабаритных монокристаллов вольфрамата кадмия с высокой оптической однородностью [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.47-52
|
8. | Ж14479 Гадзаман И. В. Зависимость свойств толстопленочных терморезисторов от состава базовой шпинели [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.62-64
|
9. | Ж14479 Бобренко Ю. Н. Измеритель мощности излучения в диапазонах УФ-А, УФ-В, УФ-С и их комбинаций [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.34-35
|
10. | Ж14479 Алтухов А. А. "Электронный нос" на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.16-18
|
11. | Ж14479 Касимов Ф. Д. Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе [Текст]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.21-24
|
12. | Ж14063 Belogolovskii M. A. Inelastic electron tunneling across magnetically active interfaces in cuprate and manganite heterostructures modified by electromigration processes [Текст] 28: 6 // Физика низ. температур.-С.553-557
|
13. | Ж14161 Ryklina Е. P. Some medical devices based on shape memory and superelasticity of thermomechanically treated titanium nickelide [Текст] 23: [спец. вип] // Металлофизика и новейшие технологии.-С.38-41
|
14. | Ж14063 Krive I. V. Charge and spin effects in mesoscopic Josephson junctions. (Rev. art.) [Текст] 30: 7-8 // Физика низ. температур.-С.738-755
|
15. | Ж14063 Tafuri F. Advances in high-<$E bold T sub c> grain boundary junctions [Текст] 30: 7-8 // Физика низ. температур.-С.785-794
|
16. | Ж14159 Bieniek T. Formation of oxynitride layers in a RF plasma planar reactor for future Si and SiC MOS structures [Текст]: 3 // Сверхтвердые материалы.-С.61-66
|
17. | Ж29137 Naumov S. V. Investigation of the dynamic characteristics of silicon double-sided microstrip detectors [Текст]: 732, вип. 2 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Сер. фіз. "Ядра, частинки, поля".-С.101-104
|
18. | Ж14159 Klemberg-Sapieha J. E. Mechanical and optical characteristics of superhard nanocomposite TiN/a - Si3N4 and TiCN/a - SiCN coatings produced by PECVD [Текст]: 3 // Сверхтвердые материалы.-С.26-33
|
19. | Ж14161 Yurkova A. I. Ultrafine grained iron, which is fabricated by severe plastic deformation stimulated by diffusion flow of dopant element: structural features and mechanical behaviour [Текст] 28: 10 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.1397-1420
|
20. | Ж14479 Бобренко Ю. Н. Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.29-31
|
| |