Research into light emitting applications for ZnSe/ZnS materials presently centers on the materials grown epitaxially by either MOVPE or MBE techniques. If a simpler technique could be found to reproduce the material quality obtained by MBE or MOVPE, this would be preferred. This paper reports the growth of good quality ZnS/ZnSe quantum well structures on GaAs at very low temperatures by the technique of photoassisted vapour phase epitaxy (PAVPE). The structures were assessed by low temperature photoluminescence and Raman spectroscopy. Both techniques show the effects of reduced dimensionality. A new lattice dynamic model appropriate for strained systems is used to derive the ZnSe strain state and well width for the samples studied.

Плазмове азотування, також відоме як іонне азотування або азотування плазмою жевріючого розряду, є методом поверхневого зміцнення. Гази типу аргону, водню і т. ін. можуть використовуватися як каталізатор (поряд з азотом), що допомогає утворенню прошарку нітриду. Товщина, таким чином сформованого прошарку нітриду, може бути приблизно 0,01 - 0,1 мкм. Оскільки товщина прошарку нітриду збільшується, поверхню матеріалу можна зробити твердішою. Твердість поверхні матеріалу можна виміряти різноманітними методами. У цій роботі виміряно твердість з використанням дюрометра.

The thermal conductivity of solid parahydrogen with orthodeuterium impurity at the impurity concentration from 0.01 to 1% has been studied in the temperature range from 1.8 to 9 K. The nonlinear concentration dependence of the thermal resistivity of the investigated samples is explained by the fact that the intensity of normal three-phonon scattering processes is comparable to that of resistive processes. The analysis of the experimental results has been made in the framework of the Callaway model by using different models for the impurity phonon scattering. It has been found that the intensity of phonon impurity scattering in parahydrogen with orthodeuterium impurity is essentially higher than classical theory predicts and it is close to analogous scattering in solutions of helium isotopes with the equal reduced molar volume given. It is considered that additional impurity scattering of phonons is connected with the change of force constants and lattice distortion in the vicinity of impurity molecules. The quantitative estimation of the mentioned effects has been made.

There are rather exotic semiconducting superlattices (SL) consisting of monochalcogenides of Pb, Sn and rare-earth metals which exhibit superconductivity at temperature as high as 6 K. Here we report the results of precision x-ray diffractometry and TEM investigations as well as Auger spectroscopy data obtained on some of the epitaxially grown superconducting semiconducting SLs. It is established that essential features of the SL structure determining the appearance of superconductivity are the perfect single-crystallinity of the samples and the presence of continuous dense grids of misfit dislocations on the interfaces between two semiconductors. The segregation of free Pb which was observed in some cases does not correlate, according to experimental data, with the appearance of superconductivity.

Розглянуто питання, пов'язані з проблемами утилізації електронного брухту (лампової та напівпровідникової електроніки, НВЧ-техніки тощо.) зокрема, з оцінкою елементного складу зразків в режимі "чорного ящика" (відсутністю апріорної інформації про склад досліджуваних об'єктів); оцінкою рентабельності та доцільності вилучення різних металів, у першу чергу, золота та срібла; вибором і місцем методів аналізу та вилучення цих металів у послідовності етапів утилізації. Розгляд проблематики виконано на базі експериментальних даних активаційного аналізу зразків електронного брухту на мікротроні М-30 ІЕФ НАНУ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.1

Рубрики:

Фізика високих температур

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.1 + В377.34

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Феромагнетизм твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г121.18

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2 + В345.1

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Флюоресценція

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: microstructructure, grain size, intergrain conductivity, electronic transport properties, magnetoresistance, magnetic transition
Індекс рубрикатора НБУВ: К230.2

Рубрики:

Кристалічна будова кольорових металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.3

Рубрики:

Фізика низьких температур

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Т4с442

Шифр НБУВ: Ж68850/фіз. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Д59(45Укр)45

Рубрики:

Регіональна геологія

Шифр НБУВ: Ж68850/фіз. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.734.7

Рубрики:

Магнітострикція в феромагнітних металах

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В344-4

Рубрики:

Спектроскопія

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.35

Рубрики:

Антиферомагнетизм твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31

Рубрики:

Дефекти

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова:
Індекс рубрикатора НБУВ: В33

Рубрики:

Електрика та магнетизм

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.32

Рубрики:

Фізика рідкого гелію

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова:
Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.1

Рубрики:

Вуглець

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ