Дослідження присвячено розгляду електрон-електронної взаємодії в графені. Знайдено критичне значення константи електрон-електронної взаємодії, за якому в системі відбувається екситонна конденсація, яка приводить до генерації щілини в спектрі квазічастинок. Розглянуто зв'язок явища генерації щілини з явищем падіння на надкритичний заряджений центр. Чисельно одержано залежність згенерованої щілини від імпульсу. За врахування додаткової чотирьоферміонної взаємодії знайдено фазову діаграму та розраховано критичні індекси екситонного фазового переходу. Показано, що за наявності магнітного поля значення критичної константи зменшується до нуля. Для двошарового графену знайдено аналітичний вираз однопетльової поляризації в чотирьохзонній моделі за довільних значень частоти, імпульсу та рівня допування. Знайдено екранований кулонівський потенціал і закон дисперсії плазмонів.