Індекс рубрикатора НБУВ: В372.2,022 + К202

Рубрики:

Геометрична кристалографія

Кристалічна будова металів і сплавів

Шифр НБУВ: ДС49646 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.212.1,022

Рубрики:

Рентгенівський метод (метод кутів Брегга)

Шифр НБУВ: ДС49957 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглядається кристалічний стан речовини, її основні властивості, питання проектування кристалів (прямої лінії, площини, проекцій багатогранника, аксонометричні, стереографічні проекції). Висвітлюються теоретичні основи симетрії, координатні системи та їх перетворення, форми кристалічних багатогранників, а також наводяться кристалографічні символи.

Розглянуто процес утворення орієнтованих рядів мікронних газових включень у кристалах корунду. Основною причиною їх виникнення є зміна морфології фронту кристалізації з коміркової на скелетну за умов переохолодження. Ряди включень орієнтовані паралельно одній з площин скелетного кристала. У разі скелетного росту між сусідніми ребрами виникає порожнина, в якій утворюються усадкові пори та захоплюються газові домішки. Ширина порожнини визначає розмір пор і діаметр газових включень.

Використовуючи симплекс-метод планування експерименту, встановлено оптимальний склад мішеней на основі граничних силіцидів Cr, Ta та La для іонно-плазмового напилення високоомних резистивних тонкоплівкових конденсатів із заданими електрофізичними властивостями.

На основе классической теории зародышеобразования разработана термодинамико-кинетическая теория хемо-, гетеро- и автоэпитаксии, позволяющая по данным межфазных энергий, величины несоответствия сопрягающихся кристаллических решеток, упругих констант нарастающей фазы, пересыщения адсорбированной фазы диффундирующим компонентом и его термодинамической активности оценить температурные условия ориентированного нарастания фазы для конкретной бинарной системы.

Розроблено експериментальну установку для енергодисперсійного рентгенофлуоресцентного аналізу з можливістю реалізації схеми з попередньою селекцією за енергією випромінювання проби. Вивчено можливості установки при багатокомпонентному якісному аналізі, кількісному аналізі матеріалів на основі оксидів Ca, Sr, Rb, Bi, Cu та аналізі повітря робочої зони. Показано ефективність застосування потужних рентгенівських трубок у поєднанні зі схемою попередньої селекції за енергією випромінювання проби при визначенні низьких концентрацій елементів. Використання бреггівських відбивачів у вигляді вигнутого монокристалу LiF(200) та наборного циліндричного відбивача, що складається з сегментів LiF(200) дозволило майже на порядок знизити границі виявлення Zn і Se при аналізі зразків повітря.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.242 + В376.3 + Л463.2

Рубрики:

Двійники

Крихкість. Пластичність

Електрокорунд (штучний корунд)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Висвітлено сучасні уявлення про атомну структуру кристалічних, аморфних і рідких тіл, природу їх фізичних властивостей. Розглянуто питання атомної будови металів (опис структури кристалів, теплові коливання гратки, теплові властивості металів), електронні властивості металів (теорію електропровідності, квантову теорію вільних електронів, зонну теорію твердих тіл), експериментальні дані про електронну будову металів, провідники, діелектрики та напівпровідники з точки зору зонної теорії, електричний опір металів, феромагнетизм, надпровідність, термоелектронну емісію, природу термоелектрики, ефект Холла та інші гальваномагнітні явища, будову розплавлених металів. Досліджено сили зв'язку у твердих тілах (іонний, ковалентний, Ван-дер-Ваальсовий та металічний зв'язки), будову аморфних сплавів, умови утворення металевого скла, кристалізацію, атомну структуру та структурні недосконалості металевого скла, особливості фізичних властивостей аморфних сплавів, магнітні властивості металевого скла. Розглянуто атомну структуру поверхні, симетрію тривимірного кристала з ідеальною поверхнею, трансляційну симетрію, гратку ідеальної поверхні, дифракцію повільних електронів, а також наведено експериментальні методи визначення структури поверхні.

Методом чисельного моделювання за формулами динамічної теорії розсіювання випромінювань реальними кристалами та за допомогою розв'язку рівнянь Такагі- Топена вивчені основні закономірності брег-дифракції рентгенівських променів в умовах сильного та слабкого поглинання. Встановлені механізми формування профілів просторового розподілу інтенсивності дифрагованих пучків в залежності від енергії випромінювання та структурної досконалості кристалів. Запропоновані формули для аналітичного опису профілів розподілу інтенсивностей, які враховують динамічні поправки (коефіцієнти екстинкції) для когерентної і некогерентної складових дифрагованої інтенсивності.

Дисертацію присвячено обгрунтуванню та розробці основних шляхів досягнення граничних можливостей методу еліпсометрії. Розроблено способи подолання основних труднощів на шляху практичної реалізації однозонної методики еліпсометричних вимірювань та нову науковообгрунтовану метрологію в еліпсометрії, в основі якої лежить однозонна методика. Намічена схема проведення метрологічних робіт. Розроблено методи розв'язання зворотної задачі еліпсометрії. Показано, що статистичний підхід до розв'язання некоректної задачі еліпсометрії для надтонких поверхневих плівок, який пропонує нові критерії вибору оптимальної точки, приводить до сталих результатів і дозволяє успішно досліджувати поверхневі плівки товщиною від 2 до 10 нанометрів.

Розглянуто статистичний підхід, що дозволяє описувати кінетику концентраційного розшарування та процеси впорядкування конденсованих систем, які перебувають у нерівноважному стані. У рамках бінарної моделі досліджено еволюцію крупномасштабної структури скла (спінодальний розпад). Встановлено, що наявність у склі на початковий момент часу випадкових просторових варіацій складу спричиняє ефективне розширення області нестійкості гомогенних станів. Отримано принципово новий результат, що свідчить про існування під час спінодального розпаду кінетично загальмованих проміжних концентраційних структур. На прикладі впорядкованих сплавів теоретично досліджено кінетику формування та росту антифазних доменів під час фазових перетворень типу порядок-непорядок. Встановлено умови для реалізації монодоменного або полідоменного станів упорядкування.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.23 + В377.3

Рубрики:

Морфологія кристалів

Магнітні властивості твердих тіл. Магнетики

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Анізотропія швидкості росту монокристалів корунду має максимуми в напрямках вершин морфологічного ромбоедра { 10 1 bar 1 }, тобто в напрямках пустот.

Експериментально вивчено морфологію та геометричний рельєф реальних поверхонь (100) монокристалів GaAs, вирощених способом Чохральського. Поверхні отримано різними способами: механічним і хіміко-механічним поліруванням, механічним різанням, анізотропним хімічним травленням. Як взаємодоповнювальні методи використано ковзне відбиття рентгенівських променів, оптичне дзеркальне відбиття, профілометрію, скануючі тунельну мікроскопію та мікроскопію атомних сил. Проведено порівняння результатів вимірювань геометричної структури поверхні, отриманих різними методами, і з'ясовано, що реальну поверхню GaAs можна описати як суперпозицію мікро- та макрошорсткостей, які проявляються у випадку розсіяння електромагнітних хвиль з відповідною довжиною хвилі.

Экспериментально изучено морфологию и геометрический рельеф реальных поверхностей (100) монокристаллов GaAs, выращенных способом Чохральского. Поверхности получены способами механической и химико-механической полировки, механической резки, анизотропного химического травления. Как взаимодополняющие использованы методы скользящего отражения рентгеновских лучей, оптического зеркального отражения, профилометрии, сканирующих туннельной и атомных сил микроскопии. Результаты измерений сравнены различными методами и установлено, что реальную поверхность GaAs можно представить суперпозицией микро- и макрошероховатостей, которые проявляются при рассеивании электромагнитных волн с соответствующей длиной волны.

The paper presents the study of morphology and roughness of (100) surfaces of GaAs single crystals grown by the Czochralski method. The surfaces were prepared in a different way: mechanical polishing, chemomechanical polishing, mechanical grinding, wet polishing etching, anisotropic etching. The X-ray grazing incidence reflectivity, atomic force microscopy, scanning tunneling microscopy, optical specular reflection, and profilometric methods were complementary used. The application of these methods allowed to reveal the details of differences in the surface morphology varied with the way of its preparation.

Методом комп'ютерного моделювання планарних дефектів та шляхом розв'язування рівнянь Такагі - Топена досліджено топологію екстинкційних маятникових смуг інтенсивності в трикутнику Бормана в геометрії бреггівської дифракції. У випадках тонкого та товстого шарів з плоскими межами, а також для шорсткого планарного дефекту з неоднорідно розподіленими вздовж поверхні дефектами кулонівського типу (захороненим шаром точкових дефектів, які виникають за імплантації кремнію високоенергетичними іонами) виявлено особливості дифракції РП на межі дефекту. Встановлені явища багаторазового відбиття блохівських хвиль від поверхні дефекту, каналізування енергії хвильових полів вздовж межі поділу, явище аномальної видимості дефектів, розташованих поза трикутником Бормана. Показано існування незалежних сплесків інтенсивності від меж планарного дефекту в просторовому розподілі інтенсивності дифрагованого випромінювання по поверхні кристала, що допомагає визначити положення планарних дефектів.

Виявлено ефект додаткового двійникування в кристалах вісмуту у разі одночасної дії на зразок механічного навантаження, постійного магнітного поля та імпульсного електричного струму, прикладених ортогонально одне до одного. Крім збільшення кількості заклинених біля відбитка індентора двійників і приросту їх довжини, з'являється ефект розгалужування двійників. На межах двійник - матриця виникають нові двійники. Ефект розгалужування спадає зі збільшенням навантаження на індентор.

Исследовано влияние параметров осаждения на структурные и механические свойства аморфных гидрогенизированных углеродных пленок, осажденных из углеводородной плазмы. Методом атомной силовой микроскопии изучены наноструктурные особенности морфологии поверхности углеродных пленок при вариации условий осаждения. Установлено, что осаждение полимеро- и алмазоподобных углеродных пленок ведет к уменьшению шероховатости исходной поверхности подложки. Для осажденных графитоподобных углеродных пленок характерно появление иглоподобного профиля ростовой поверхности.

Методом Монте - Карло в кінематичному наближенні змодельовано розподіли інтенсивності рентгенівських променів, розсіяних монокристалами з тетрагональною граткою, які являють собою комплекс двійникових доменів, розділених паралельними когерентними границями. Розподіли товщин двійникових доменів змодельовано з використанням геометричної, гаусової та нормально-логарифмічної функцій. Для певних значень параметрів цих функцій виявлено "критичні" ефекти розсіяння, що являють собою перетворення тетрагонального дуплета на одиночний пік або мультиплет. Показано, що кожна з характеристик профілю тетрагонального дуплета залежить від кількох параметрів, які характеризують двійникову мікроструктуру кристала, а також ступеня тетрагональності.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.231.32я434 + В367.1

Рубрики:

Фізика високих тисків

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ