Исследовано влияние параметров осаждения на структурные и механические свойства аморфных гидрогенизированных углеродных пленок, осажденных из углеводородной плазмы. Методом атомной силовой микроскопии изучены наноструктурные особенности морфологии поверхности углеродных пленок при вариации условий осаждения. Установлено, что осаждение полимеро- и алмазоподобных углеродных пленок ведет к уменьшению шероховатости исходной поверхности подложки. Для осажденных графитоподобных углеродных пленок характерно появление иглоподобного профиля ростовой поверхности.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.23 + В377.3

Рубрики:

Морфологія кристалів

Магнітні властивості твердих тіл. Магнетики

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Експериментально вивчено морфологію та геометричний рельєф реальних поверхонь (100) монокристалів GaAs, вирощених способом Чохральського. Поверхні отримано різними способами: механічним і хіміко-механічним поліруванням, механічним різанням, анізотропним хімічним травленням. Як взаємодоповнювальні методи використано ковзне відбиття рентгенівських променів, оптичне дзеркальне відбиття, профілометрію, скануючі тунельну мікроскопію та мікроскопію атомних сил. Проведено порівняння результатів вимірювань геометричної структури поверхні, отриманих різними методами, і з'ясовано, що реальну поверхню GaAs можна описати як суперпозицію мікро- та макрошорсткостей, які проявляються у випадку розсіяння електромагнітних хвиль з відповідною довжиною хвилі.

Экспериментально изучено морфологию и геометрический рельеф реальных поверхностей (100) монокристаллов GaAs, выращенных способом Чохральского. Поверхности получены способами механической и химико-механической полировки, механической резки, анизотропного химического травления. Как взаимодополняющие использованы методы скользящего отражения рентгеновских лучей, оптического зеркального отражения, профилометрии, сканирующих туннельной и атомных сил микроскопии. Результаты измерений сравнены различными методами и установлено, что реальную поверхность GaAs можно представить суперпозицией микро- и макрошероховатостей, которые проявляются при рассеивании электромагнитных волн с соответствующей длиной волны.

The paper presents the study of morphology and roughness of (100) surfaces of GaAs single crystals grown by the Czochralski method. The surfaces were prepared in a different way: mechanical polishing, chemomechanical polishing, mechanical grinding, wet polishing etching, anisotropic etching. The X-ray grazing incidence reflectivity, atomic force microscopy, scanning tunneling microscopy, optical specular reflection, and profilometric methods were complementary used. The application of these methods allowed to reveal the details of differences in the surface morphology varied with the way of its preparation.

Встановлено зв'язок наноморфології поверхні полікристалічних плівок, що є компонентами напівпровідникових приладних структур, з їх внутрішньою кристалічною структурою, рівнем механічних напруг у системах як цілому та процесами на межі поділу фаз, спричиненими високотемпературними відпалами. Встановлено зв'язок морфологічних і структурних характеристик полікристалічних плівок ZnS:Cu з умовами їх виготовлення та післяростових обробок. Досліджено залежність структурної досконалості контактних систем на GaAs з антидифузійним шаром дибориду титану від режиму магнетронного напилення та їх термічну стійкість. З використанням комплексу методів рентгеноструктурного аналізу й атомно-силової мікроскопії доведено пряму залежність морфологічних характеристик поверхні полікристалічних плівок від процесів структурної релаксації та перебудови всередині плівки, а також на межі розділу плівка - підкладка. Результати досліджень розвивають модельні уявлення про характер і походження структурних нерівноважностей багатошарових структур і процеси структурної релаксації в них, викликані зовнішніми впливами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.231.32я434 + В367.1

Рубрики:

Фізика високих тисків

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.231.31

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено застосування методу кореляційного наближення для кристалів кубічної симетрії. Обговорено можливість застосування цього методу для довільної анізотропії пружних властивостей.

A theory of the size quantization Stark's effect in a semiconductor nanocrystal is developed under conditions when the polarization interaction of an electron and a hole with the surface of a nanocrystal is importance. It is established that shifts of size quantization levels of an electron and a hole in the nanocrystal in the external homogeneous electric field in the region of interzone absorption are determined by the size quantization square Stark's effect. A new electric optical method, defining values of the critical radii of nanocrystals, where bulk excitons can arise, is developed.

In the method of "active" field, the influence of a surface on polarization of crystal atoms by an electromagnetic wave is investigated. Dipole moments of atoms in a halfinfinite crystal lattice are designed, and equilibrium sides of cubic crystals are received.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.23

Рубрики:

Морфологія кристалів

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано метод дослідження морфологічної стійкості плоского фронту твердіння, що просувається з постійною швидкістю в переохолоджений розплав. Суть методу: не вирішуючи відповідну граничну задачу цілком, знайти тимчасову еволюцію збурень межі тверде тіло - розплав. Одержано умови нестійкості плоского фронту твердіння; проаналізовано роль початкових збурень самої межі та стаціонарного розподілу температури в розплаві. Запропонований метод може бути особливо ефективним під час розв'язання задач із декількома межами.

На конкретних прикладах розглянуто можливість визначення рівноважної форми кристала з аналізу його скелетних і дендритних форм. Показано, що незалежно від типу хімічного зв'язку, кристалам притаманні загальні закономірності побудови рівноважної, скелетної та дендритної форм, які визначаються анізотропією швидкості росту. В різних кристалах діаграма швидкості росту відносно структурного елемента має максимальні значення у напрямах порожнин гратки. Таким чином, анізотропія швидкості росту відповідає розташуванню порожнин гратки в оточенні її структурного елемента (атома, іона або молекули). Виходячи з цього, припущено, що анізотропія притаманна структурному елементу гратки. Виявлену відповідність можна використати як допоміжний критерій для визначення рівноважних форм.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.231.3

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.231.31

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

It has been shown that the angular dependence of the quadrupole-quadrupole, van der Waals dipole-dipole, and repulsive interactions between nonpolar molecules can be represented, in the case of quasinormal and planar orientations of long molecular axes relative to the surface plane, by the dipole-dipole Hamiltonian with renormalized constants determined by the parameters of the interactions concerned. For a square lattice, the minimization of the generalized Hamiltonian enables one to construct a phase diagram of orientational structures of nonpolar molecules with their axes designating the ratios of anisotropic components of the dispersion and repulsive interactions to the quadrupole interactions. The orientational structures calculated, which correspond to the diagram regions with predominating quadrupole interactions, are in accordance with the structures observed in monolayers of adsorbed nonpolar molecules.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г522.1 + В372.23

Рубрики:

Кристалічні структури неорганічних сполук

Морфологія кристалів

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: монокристалл, карбид, гексагональная симметрия, гексагональная решетка, чугун
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.231

Рубрики:

Симетрія. Системи симетрії (сингонії)

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377 + В372.231.31

Рубрики:

Електричні та магнітні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.231 + В368.3

Рубрики:

Симетрія. Системи симетрії (сингонії)

Фізика низьких температур

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.23

Рубрики:

Морфологія кристалів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ