Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2,022

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: ДС48934 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2,022

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: ДС48934 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова:
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова:
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2 + В379.34

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Оптичні властивості діелектриків

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2,022

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: РА302962 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено оптичні спектри і особливості утворення та руйнування J-агрегатів амфіфільних молекул. Встановлено взаємозв'язок форми екситонної смуги поглинання з енергетичним та топологічним безладдям у молекулярному ланцюжку J-агрегатів. З'ясовано складну структуру низькотемпературної смуги люмінесценції J-агрегатів, котра формується світінням вільних та автолокалізованих екситонів. Виявлено зниження бар'єру автолокалізації екситонів у J-агрегатах з більш сильним топологічним безладдям. Надано мікроскопічну модель J-агрегатів, що дозволяє послідовно пояснювати спостережені особливості оптичних спектрів та динаміки екситонів у J-агрегатах S120 з великим енергетичним та топологічним безладдям.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В372.314.2

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Для молекулярних кристалів лінійних поліаценів проаналізовано особливості динаміки екситонів у залежності від величини міжмолекулярної взаємодії, яка визначається величиною давидівського розщеплення екситонних смуг в оптичних спектрах. Основні характеристики динаміки екситонів одержано із досліджень форми довгохвильового крила, центральної частини екситонних смуг поглинання, а також із спектрів екситонної фотопровідності як функції температури. Показано, що в ряду лінійних поліаценів із збільшенням кількості бензольних кілець у молекулі, або із збільшенням міжмолекулярної взаємодії, електронні властивості поліаценів наближаються до властивостей хороших провідників.

Експериментально досліджено залежності спектральних позицій та інтенсивностей ліній зв'язаних екситонів від величини та напрямку одновісного стиску у монокристалах телуриду кадмію при температурі 4,2 К. На підставі розбіжностей у характері деформаційних залежностей для донорних та акцепторних екситонно-домішкових комплексів, що їх було встановлено, запропоновано експериментальний метод визначення типу дефекту, з яким екситонний стан зв'язаний.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дисертація присвячена теоретичним дослідженням електронних збуджень - екситонів та мілких донорів в кристалах із складною структурою енергетичних зон. Методом теорії збурень із залученням теоретико-групового аналізу та чисельних розрахунків методом емпіричного псевдопотенціалу досліджено вплив багатодолинності зони провідності та виродження верхньої валентної зони на тонку структуру енергетичного спектру екситона та мілкого донора 5 групи в ковалентних кристалах типу алмазу і цинкової обманки. Запропоновано оригінальний підхід до вивчення загальних закономірностей взаємозв'язку між енергетичною зонною структурою, форм факторами псевдопотенціалу, сталою гратки, гідростатичним тиском (сплавленням). Вказано на можливі шляхи використання цих закономірностей.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Отримано рекурентні дисперсійні співвідношення для власних мод багатошарової планарної системи. Для ілюстрації розглянуто деяку 5-шарову систему і знайдено розв'язки у вигляді хвилеводних поляритонів. Проаналізовано поведінку та властивості цих розв'язків.

Прямі та зворотні струми в гетероструктурі "аморфний SiC/pSi" вивчено в температурному діапазоні 30 - 80 К. З'ясовано, що в різних діапазонах напруги транспортний струм описується різними механізмами. Зарядження електронних пасток, розташованих у шарі SiC, збільшує прямий струм завдяки зменшенню потенціального бар'єра для дірок. У діапазоні прямих напруг 0,5 - 0,8 В струм визначається стрибковим механізмом зі змінною довжиною стрибка (механізм Мотта) в шарі аморфного SiC. За великих зміщень домінуючим механізмом транспортного струму стає тунелювання крізь трикутний бар'єр поблизу межі поділу "аморфний - кристалічний напівпровідник".

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.21

Рубрики:

Екситонне поглинання електромагнітних хвиль

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2 + В345.1

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Флюоресценція

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати обчислень потенціальної енергії взаємодії заряду з межами поділу в полі сил зображень для багатошарових сферичних структур. Доведено, що діелектрична проникність під час переходу через границі стрибкоподібно змінюється від одного значення до іншого. Показано, що врахування даного потенціалу суттєво змінює спектр зв'язаних станів "частинка - поверхня". Запропоновано модель перехідного шару, в якому діелектрична проникність є плавною функцією координати. У рамках даної моделі обчислено потенціальну енергію взаємодії зарядженої частинки з межами поділу для багатошарових сферичних, циліндричних і плоских структур. Для конкретних гетеросистем обчислено енергетичні спектри електрона та екситону за умов врахування перехідних шарів та без них.