Пошуковий запит: (<.>U=В374.98$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 38
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж60673 Глинчук К. Д. Анализ экситонной люминесценции полуизолирующих специально нелегированных кристаллов арсенида галлия [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.176-189
|
| 2. | Ж60673 Глинчук К. Д. Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.95-109
|
| 3. | Ж60673 Марончук И. Е. Влияние обработки поверхности пористого кремния на его фотолюминесценцию [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.157-159
|
| 4. | Ж60673 Сукач Г. А. Влияние поверхностной оже-рекомбинации на квантовый выход люминесценции в GaAs [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.25-37
|
| 5. | Ж68777 Савчин В. Катодолюмінесцентні дослідження поверхні сколу шаруватого кристала моноселеніду індію в процесі термообробки на повітрі [Текст] Т. 3 // Фіз. зб.-С.113-123
|
| 6. | Ж26988 Неділько С. Г. Особливості температурної поведінки виходу люмінесценції домішкових іонів Dy3+ в кристалах вольфрамату кадмію [Текст] 44: 11 // Укр. фіз. журн.-С.1344-1346
|
| 7. | Ж26988 Бордун О. М. Фотолюмінесцентні властивості тонких плівок PbWO4 [Текст] 45: 9 // Укр. фіз. журн.-С.1049-1052
|
| 8. | Ж60673 Болгов С. С. Электролюминесценция гетероструктур CdxHg1-xTe/CdTe при комбинированном возбуждении [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.167-169
|
| 9. | Ж14063 Авдеенко А. Влияние механических напряжений и температуры на фотолюминесценцию фуллерита C60 в низкотемпературной фазе [Текст] 30: 3 // Физика низ. температур.-С.312-317
|
| 10. | Ж26988 Каганович Е. Б. Ефективна та стабільна видима фотолюмінесценція плівок нанокристалічного кремнію, одержаних лазерною абляцією [Текст] 47: 8 // Укр. фіз. журн.-С.760-762
|
| 11. | Ж60673 Корбутяк Д. В. Особливості фотолюмінесценції компенсованих монокристалів CdTe:Cl (огляд) [Текст]: Вып. 37 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.23-40
|
| 12. | Ж60673 Каганович Э. Б. Спектры фотолюминесценции пленок нанокристаллического кремния, легированных золотом [Текст]: Вып. 37 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.41-46
|
| 13. | Ж26618 Бордун О. М. Фотолюмінесценція тонких плівок Bi12GeO20 [Текст] 5: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.436-439
|
| 14. | Ж60673 Кононец Я. Ф. Электролюминесценция тонкопленочных структур на основе ZnS:Er в ближней инфракрасной области спектра [Текст]: Вып. 38 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.225-229
|
| 15. | Ж67522 Filevskaya L. N. Photoluminescence of tin dioxide thin films, obtained with the use of polymers [Текст]: Вып. 14 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.-С.42-44
|
| 16. | Ж26988 Mahdjoub A. Photoluminescence characterization of Al/Al2O3/InP MIS structures passivated by anodic oxidation [Текст] 50: 7 // Укр. фіз. журн.-С.701-705
|
| 17. | Ж26618 Зуєв В. О. Вплив електронного опромінювання на фотолюмінесценцію і край поглинання в CdP2 [Текст] 7: 2 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.220-224
|
| 18. | Ж60673 Власенко Н. А. Влияние термополевой ионизации ионов <$E bold roman Cr sup +> на излучательные характеристики тонкопленочных электролюминесцентных <$E bold roman ZnS:Cr sup 2+>-структур [Текст]: Вып. 42 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.51-55
|
| 19. | Ж60673 Романюк Б. М. Фотолюмінесценція нанокластерів у шарах SiO2, імплантованих іонами кремнію та вуглецю [Текст]: Вып. 42 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.96-102
|
| 20. | РА299658 Тарасенко О. А.НАН України. Ін-т монокристалів. Механізм формування швидкої радіолюмінесценції в органічних напівпровідниках та діелектриках [Текст] : Автореф. дис.. канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка
