Дисертацію присвячено вивченню швидкої радіолюмінесценції органічних конденсованих середовищ. Отримано загальний опис кінетики сенсибілізованої радіолюмінесценції для довільного типу збудження, надано фізичне обгрунтування гаусового характеру опису додаткової затримки моментів висвітлювання фотонів радіолюмінесценції для органічних конденсованих середовищ, розроблено уточнену модель механізму швидкої радіолюмінесценції органічних конденсованих середовищ.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Встановлено природу дислокаційної люмінесценції світловипромінювальних структур на основі р-Sі. Досліджено перебудову дефектної підсистеми приповерхневого шару цих структур за дії локальної та зовнішньої пружних деформацій, пластичної деформації, та високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню. Наведено механізми виготовлення й обробки кристалів кремнію в результаті яких досягається висока випромінювальна ефективність світловипромінювальних структур. Показано, що локальна деформація приповерхневого шару кремнію, яка утворюється в результаті невідповідності параметрів гратки матриці та напиленої плівки, здатна гетерувати дефекти та домішки винесені з об'єму кристалу до поверхні дислокаціями. Такі дефекти в сукупності з дислокаціями утворюють складні комплекси, які, в свою чергу, можуть впливати на рекомбінаційні процеси у приповерхневому шарі напівпровідника. Початкова стадія високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню, тривалістю до 1 год., приводить до зростання концентрації безвипромінювальних центрів рекомбінації. Збільшення часу відпалу супроводжується перерозподілом між без- та випромінювальними переходами на користь останніх. Також даний тип обробки впливає на термостабільність центрів, що відповідальні за D1 та D2 смуги електролюмінесценції в діапазоні температур 77 - 350 К. Встановлено склад та структуру дефектної підсистеми приповерхневого шару кристалів р-Sі, на основі яких виготовлялись світловипромінювальні структури. На базі даних досліджень побудована рекомбінаційна модель для структур на основі кремнію з високою концентрацією дислокацій. Продемонстровано підвищення випромінювальної ефективності методом пружної зовнішньої деформації. Проведено теоретичне та комп'ютерне моделювання процесів перебудови дефектної підсистеми в приповерхневому шарі кремнію та зміни зонної структури кремнію за високих концентрацій дислокацій та пружній деформації.