Індекс рубрикатора НБУВ: В375.14,022

Рубрики:

Твердіння. Кристалізація. Ріст кристалів

Шифр НБУВ: РА322856 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто статистичний підхід, що дозволяє описувати кінетику концентраційного розшарування та процеси впорядкування конденсованих систем, які перебувають у нерівноважному стані. У рамках бінарної моделі досліджено еволюцію крупномасштабної структури скла (спінодальний розпад). Встановлено, що наявність у склі на початковий момент часу випадкових просторових варіацій складу спричиняє ефективне розширення області нестійкості гомогенних станів. Отримано принципово новий результат, що свідчить про існування під час спінодального розпаду кінетично загальмованих проміжних концентраційних структур. На прикладі впорядкованих сплавів теоретично досліджено кінетику формування та росту антифазних доменів під час фазових перетворень типу порядок-непорядок. Встановлено умови для реалізації монодоменного або полідоменного станів упорядкування.

  Скачати повний текст

Уперше визначено критичну товщину контактного плавлення в бінарних шаруватих плівкових системах евтектичного типу (Su - Bi, Ge - Au), тобто товщину плівки одного з компонентів, що перебуває в контакті з товстою плівкою другого компонента, нижче за яку формування рідкої фази в системі за евтектичної температури не відбувається. Уперше встановлено залежність температури плавлення евтектики Ge - Au на аморфній вуглецевій підкладці від товщини шаруватої плівкової системи евтектичного складу. Уперше показано, що під час плавлення початкових вакуумних конденсатів Sn, Bi та Sn - Bi евтектичного складу, які ростуть на аморфних вуглецевих підкладках за кімнатної температури за механізмом Фольмера - Вебера, формуються острівцеві системи, у яких коефіцієнт заповнення підкладки є немонотонною функцією масової товщини.

Досліджено швидкості зміни вільної енергії в процесі стаціонарної направленої кристалізації двокомпонентної системи. Теоретично розглянуто процес стаціонарної евтектичної кристалізації на основі аналізу швидкості зміни вільної енергії такої системи. Вибрано критерій, що дозволив встановити, яка з термодинамічно допустимих конфігурацій системи реалізується в тому, чи іншому випадку. Проаналізовано умови виникнення ламельної та різних типів стрижневих структур в процесі евтектичної кристалізації. Теоретично досліджено процес стаціонарного коміркового розпаду пересичених твердих розчинів на основі запропонованого підходу. Розглянуто процеси вторинного розпаду. Здійснено порівняння з результатами, одержаними для процесу евтектичної кристалізації. Проаналізовано умови виникнення різних геометричних структур під час коміркового розпаду. Здійснено порівняння теоретичних результатів, що описують стаціонарний комірковий розпад, з експериментальними даними.

Розроблено технологію вирощування монокристалів подвійних ортоборатів, ортованадатів, вольфраматів і молібдатів для виготовлення елементів активних середовищ лазерних приладів, які працюють на довжинах хвиль 1,06 мкм і 1,53 мкм. Досліджено особливості твердофазного синтезу сполук складних оксидів для вирощування кристалів. Визначено умови вирощування кристалів за методом Чохральського, чистих та активованих різними домішками. Досліджено кристалічну структуру, визначено дефекти та встановлено фактори, які призводять до їх утворення в залежності від складу сполуки, концентрації домішки й умов вирощування. Проведено комплексне дослідження діелектричних, теплофізичних, оптичних і механічних властивостей. Обгрунтовано ефективність лазерної генерації й інші функціональні характеристики вирощених монокристалів.