Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В371.21 + В377.151

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Наноструктури

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто актуальні проблеми теорії оптимізації функціоналів від розв’язків одновимірних крайових задач в звичайних диференційних рівняннях, зокрема задач в умовах невизначеності параметрів. Сформульовано і доведено теореми, що обгрунтовують розв’язки таких задач. Запропоновано методи оптимізації функціоналів для об’єктів з розподіленими параметрами, які описуються крайовими задачами в параболічних рівняннях. Підходи до оптимізації функціоналів застосовуються для розв’язування оптимізаційних задач нестаціонарного процесу термоелектричного охолодження. Наведено алгоритми для знаходження розв’язків таких задач шляхом комп’ютерного моделювання, проаналізовано результат розв'язування задач.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.151

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж43925 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Експериментально досліджено термоелектрорушійну силу (ТЕРС) двовимірної електронно-діркової системи у квантовій ямі HgTe (21 нм) за присутності магнітного поля. Повідомлено про перше експериментальне спостереження ефекту Нернста - Еттінгсгаузена у двовимірному напівметалі. Порівняння теорії та експерименту показує, що ТЕРС визначається двома внесками: дифузією та фононним захопленням, причому останній внесок у кілька разів перевищує перший. Зроблено висновок щодо важливої ролі електронно-діркового розсіяння у формуванні обох механізмів ТЕРС.

Індекс рубрикатора НБУВ: З32-5 + В371.21 + В377.151

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Наноструктури

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.15 + В377.3

Рубрики:

Електричні явища при контакті твердих тіл

Магнітні властивості твердих тіл. Магнетики

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано нетривіальний ефект реалізації електронного транспорту у стохастичній моделі Джозефсонівського контакту за рахунок впливу корелюючих кольорових шумів. Показано, що крос-кореляція відіграє важливу роль: зміна інтенсивності крос-кореляції між тепловим та зовнішнім шумом є причиною реалізації реверсивної поведінки напруги. Показано, що поведінка напруги за зміни сталого струму суттєвим чином залежить від інтенсивності шумів та інтенсивності крос-кореляції. За відсутності сталого струму інтенсивність крос-кореляції відіграє роль керуючого параметра; збільшення даного параметра призводить до зростання напруги на контакті. Спектральний склад шумів відіграє важливу роль за малих інтенсивностей шуму: реверсивна поведінка напруги має місце за зміни часу авто- та крос-кореляції теплового та зовнішнього шумів. Знайдено, що корелюючи шуми є причиною появи від'ємної напруги за малих додатних значень сталого струму. У той самий час напруга залишається відіємною за умови від'ємних значень струму. Показано, що зростання інтенсивності шуму за малих значень коефіцієнта дисипації призводить до нормального омічного транспортного режиму. Знайдено, що залежність напруги від амплітуди змінного струму у разі малих додатних значень сталого струму містить квазіперіодичну послідовність областей індукованої шумом аномальної поведінки: від'ємна напруга періодично з'являється та зникає у разі збільшення сили змінного струму.

Проникнення куперівських пар з надпровідного шару до феромагнітного у контактах надпровідник-феромагнетик, відоме як ефект близькості, є предметом інтенсивних досліджень протягом декількох останніх десятиліть. На початку цього сторіччя стало зрозумілим, що ефект близькості супроводжується зворотною дією магнітного матеріалу на електронну підсистему надпровідника, яка проявляє себе у дифузії намагніченості через інтерфейс двох металів. Згідно із тодішньою теорією зворотного ефекту близькості глибина такого проникнення мала бути порядку довжини когерентності у надпровіднику. Цей феномен спостерігався експериментально, проте детальні експерименти, зокрема, за допомогою нейтронного і мюонного розсіювання виявили магнітні кореляції на суттєво більших відстанях. Для їх пояснення запропоновано теорію електромагнітного ефекту близькості, згідно з якою диспропорція між електронами з різними напрямами спінів поширюється у надпровідник другого роду на відстані порядку лондонівської глибини проникнення. У даній роботі наведено експериментальні виміри вольтамперних характеристик джозефсонівських переходів феромагнетик/надпровідник-бар'єр-надпровідник, які підтверджують існування електромагнітного ефекту близькості у контактах надтонкої плівки свинцю - надпровідника другого роду з феромагнітним нікелем. Вперше спостерігали коливну залежність критичного струму переходу Ni/Pb/Sn-оксидний бар'єр-Pb від товщини Ni, яка свідчить про наявність у плівці Pb просторових коливань параметра надпровідного порядку, передбачених FFLO-теорією ще у середині 60-х рр. минулого сторіччя.

Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію металів (адгезивний шар - струмопровідний шар), які створюють омічний контакт до p- та n-областей CdHgTe в процесі виготовлення дискретних детекторів за планарною технологією. Виміряні вольтамперні характеристики контактів Mo - Au і Mo - In до епітаксійних шарів p-CdHgTe демонструють лінійний характер як при кімнатній температурі, так і при T = 80 K.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.15

Рубрики:

Електричні явища при контакті твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано принципову можливість фазової синхронізації у системі паралельно з'єднаних нанорозмірних джозефсонівських контактів у нестаціонарному режимі за допомогою зовнішнього високочастотного електромагнітного поля. Знайдено умови, що накладаються на амплітуду і частоту зовнішнього поля та забезпечують виникнення синхронізованого режиму генерації електромагнітного випромінювання в такій системі джозефсонівських осциляторів.

Наведено результати низькотемпературних досліджень (5 - 291 К) електронного транспорту в композитних плівках оксиду графену з одностінними нанотрубками (GO-SWNTs), які отримані методом вакуумної фільтрації їх водної суспензії. Показано, що поява електропровідності у композитній плівці зумовлена нанотрубками, оскільки плівка GO, на відміну від плівки нанотрубок, практично не має провідності. Для порівняльного аналізу вивчено електропровідність також в плівках SWNTs. GO-SWNTs та SWNTs плівки демонструють напівпровідникову поведінку з від'ємним температурним коефіцієнтом електропровідності. Температурні залежності опору плівок було проаналізовано в рамках 3D моделі Мотта, яка описує рух електронів (завдяки термоактивованому тунелюванню крізь бар'єри) зі змінною довжиною стрибка (модель VRH) у діапазоні 5 - 240 К. З аналізу цих залежностей було оцінено параметри електронного транспорту в композитній плівці GO-SWNTs та в плівці нанотрубок SWNTs: середня довжина та eнергія стрибка електрона; побудовані їх температурні залежності. Виконано порівняння цих параметрів в плівках різного типу, яке показало, що контакт нанотрубок с поверхнею GO ускладнює електронний транспорт у композитній плівці. Для опису температурної залежності опору плівок при Т >> 240 К залучено модель Арреніуса, з якої знайдено величину потенціального бар'єра.

Наведено результати низькотемпературних досліджень (5 - 291 К) електронного транспорту в композитних плівках оксиду графену з одностінними нанотрубками (GO-SWNTs), які отримані методом вакуумної фільтрації їх водної суспензії. Показано, що поява електропровідності у композитній плівці зумовлена нанотрубками, оскільки плівка GO, на відміну від плівки нанотрубок, практично не має провідності. Для порівняльного аналізу вивчено електропровідність також в плівках SWNTs. GO-SWNTs та SWNTs плівки демонструють напівпровідникову поведінку з від'ємним температурним коефіцієнтом електропровідності. Температурні залежності опору плівок було проаналізовано в рамках 3D моделі Мотта, яка описує рух електронів (завдяки термоактивованому тунелюванню крізь бар'єри) зі змінною довжиною стрибка (модель VRH) у діапазоні 5 - 240 К. З аналізу цих залежностей було оцінено параметри електронного транспорту в композитній плівці GO-SWNTs та в плівці нанотрубок SWNTs: середня довжина та eнергія стрибка електрона; побудовані їх температурні залежності. Виконано порівняння цих параметрів в плівках різного типу, яке показало, що контакт нанотрубок с поверхнею GO ускладнює електронний транспорт у композитній плівці. Для опису температурної залежності опору плівок при Т >> 240 К залучено модель Арреніуса, з якої знайдено величину потенціального бар'єра.

У межах теорії функціоналу щільності, використовуючи метод нерівноважних функцій Гріна (DFT + NEGF), і в наближенні локальної щільності, було вивчено електротранспортні характеристики наноконтакту "золото - біпіридин - золото". Розрахунок реалізовано у програмі Atomistix ToolKit з використанням забезпечення Virtual NanoLab. Розраховуються вольт-амперні характеристики, характеристики dI/dV, спектр пропускання і щільність станів наноконтакту. Показано, що спектри пропускання наноконтакту нагадують спектр резонансних тунельних структур. У разі застосування напруги зміщення виявлено зсув спектрів пропускання, що пояснюється падінням напруги на молекулярному переході. Показано, що DDOS за від'ємної енергії (-6 - -1 еВ) значно вище, ніж за додатної енергії. У діапазоні напруг зсуву -3 - -0,5 В спостерігається помітне коливання струму. Показано, що на вольт-амперній характеристиці наносистеми з'являється безліч областей з від'ємним диференціальним опором, можливо, внаслідок резонансного тунелювання квазічастинок. Такі ж зміни спостерігаються і на характеристиці dI/dV. Одержані результати можуть бути корисними для розрахунку нових перспективних електронних пристроїв молекулярної електроніки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.15,022 + В371.21,022 + В371.331,022

Рубрики:

Електричні явища при контакті твердих тіл

Наноструктури

Фонони

Шифр НБУВ: РА438895 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.15

Рубрики:

Електричні явища при контакті твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено використання гальванічних технологій у термоелектриці. Розглянуто технологічні особливості нанесення антидифузійних покриттів на термоелектричний матеріал на основі телуриду вісмуту гальванічним способом. Визначено переваги та недоліки властивостей антидифузійних структур отриманих електрохімічним методом.

Досліджено закономірності впливу хімічного та фазового складу на термоелектричні властивості та дефектну підсистему легованих і гетерофазних матеріалів на основі напівпровідників групи А4В6 для використання у перетворювачах теплової енергії в електричну. Встановлено, що досягнення високих значень термоелектричної добротності досліджуваних пресованих матеріалів забезпечується, в першу чергу, низькими значеннями коефіцієнта теплопровідності за рахунок наявності структурних дефектів різної розмірності (границі зерен, мікро та нановключення додаткових фаз, точкові дефекти). Встановлено переважаючий тип точкових дефектів у досліджуваних матеріалах та їх концентрацію в залежності від технологічних умов приготування зразків, що забезпечує можливість створення матеріалів з наперед заданими властивостями та прогнозування властивостей нових матеріалів на їх основі.

Індекс рубрикатора НБУВ: К232.9 + В377.151 с3

Рубрики:

Інші важкі кольорові метали та їх сплави

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.4 + В377.151

Рубрики:

Теплоелектричні генератори. Термопари

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ