Скачати повний текст

Надано результати теоретичних досліджень надвисокочастотних явищ, які виникають за взаємодії плазмонів дрейфуючого електронного газу з полярними оптичними фононами або з дипольними коливаннями віддалених наночастинок в терагерцовій області спектра. Зауважено, що у випадку взаємодії дрейфуючих електронів, які знаходяться у квантовій ямі, з дипольними коливаннями віддаленої наночастинки, частота самоузгоджених спільних коливань цієї гібридної системи приблизно дорівнює частоті коливання диполя, індукованого у наночастинці. Якщо диполь орієнтований перпендикулярно до прикладеного електричного поля, то в системі має місце ефект загасання коливань, а якщо паралельно та дрейфова швидкість електронів перевищує деяке критичне значення, — виникає новий тип нестійкості та коливання системи наростають внаслідок передачі енергії від електронів до хвилі. Аналітично показано, що електричне поле плазмонів гетероструктури обертається по замкнутих траєкторіях фігурах Ліссажу. Внаслідок цього, дипольний момент віддаленої наночастинки, яка знаходиться в цьому полі, обертається по еліптичній траєкторії, збуджуючи зарядові хвилі в електронному газі, які рухаються за дрейфовою швидкістю або проти неї. У випадку взаємодії плазмонів дрейфуючого електронного газу з полярними оптичними фононами досліджено перебудову спектра та знайдено декременти коливань. Для систем із параболічним спектром енергії електронів у певному діапазоні значень хвильових векторів відбувається злиття дисперсійних кривих. У випадку, коли дрейфуючі електрони знаходяться у сильно легованому графені вплив дрейфу електронів на спектр плазмонів слабший та тому злиття відповідних дисперсійних кривих не відбувається. При виконанні критерію Вавілова - Черенкова в розглянутих системах має місце ефект нестійкості. Одержані результати можуть бути використані для експериментальних досліджень наноструктур, зокрема, для дослідження генерації, підсилення, детектування та поляризації терагерцового випромінювання.

Досліджено вплив магнітних полів, низькоенергетичного рентгенівського випромінювання, ультразвуку і деформації на структурні, магнітні, електрофізичні та мікромеханічні характеристики кристалів кремнію, що використовується для потреб мікроелектроніки та сонячної енергетики. Експериментально встановлено зв'язок між дією факторів зовнішнього впливу (температура деформування та дія магнітного поля) та станом парамагнітних центрів у кристалах кремнію для мікроелектроніки. Виявлено магнітостимульований ефект збагачення поверхні кремнію для мікроелектроніки домішками та його посилення в присутності дислокацій. На основі експериментально одержаних результатів запропоновано фізичний механізм магнітостимульованої дефектно-домішкової перебудови та зв'язок цієї перебудови зі зміною параметра гратки в кристалах кремнію для мікроелектроніки. Показано, що як окрема дія технологічних обробок (рентгенівських, ультразвукових), так і комбінування їх з магнітною дією приводить до еволюції структури та фізичних характеристик кристалів кремнію для мікроелектроніки. Встановлено особливості кінетики спаду фотопровідності та фото-ЕРС в кристалах кремнію для потреб сонячної енергетики за дії на них магнітного поля, які пов'язані зі зміною в кристалах дефектно-домішкового та зарядового стану приповерхневих шарів за магнітної обробки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 в641,022 + В379.2 в641,022

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: РА405716 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено мікроструктуру, динаміку кристалічної гратки й особливості люмінесценції у вихідних плівках нелегованого та легованого оксиду цинку, осаджених методом магнетронного розпилення при постійному струмі та високочастотному режимах. Встановлено вплив високоенергетичних електронів на властивості нелегованих і легованих алюмінієм плівок оксиду цинку. Виявлено та досліджено вплив швидких важких іонів на властивості плівок оксиду цинку, осаджених на різні типи підкладок. Визначено ефективний механізм підвищення радіаційної стійкості легованих плівок ZnO, опромінених швидкими важкими іонами. На основі вивчених фізичних властивостей в опромінених плівках розроблено рекомендації з підвищення радіаційної стійкості ZnO.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 в641,022

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: РА426311 Пошук видання у каталогах НБУВ