Пошуковий запит: (<.>U=В379.22$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2525
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж16425 Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots [Текст] / P. M. Martin, A. E. Belyaev [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.7-12
|
| 2. | Ж16425 Daweritz L. Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices [Текст] / L. Daweritz, H. Grahn [et al.] 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.45-49
|
| 3. | Ж26988 Auleytner J. Comprehensive Investigation of Geometric Disorder of GaAs Surfaces by Complementary Methods [Текст] 45: 2 // Укр. фіз. журн.-С.230-235
|
| 4. | Ж14388 Prudnikov A. Influence of oxygen dopant in silicon on pressure-induced phase transitions [Текст] 11: 1 // Физика и техника высоких давлений.-С.117-121
|
| 5. | Ж16425 Volodin N. M. Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.78-83
|
| 6. | Ж16425 Grigorchuk N. I. Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.25-30
|
| 7. | Ж26988 Beletskii N. N. Surface magnetoplasma waves in semiconductor structures [Текст] 43: 11 // Укр. фіз. журн.-С.1416-1424
|
| 8. | Ж16425 Kashirina N. I. Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit [Текст] / N. I. Kashirina, V. V. Kislyuk, M. K. Sheinkman 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.41-44
|
| 9. | Ж69027 Гутніченко О. А. Визначення критичної концентрації провідної фази в зернистих гетерогенних системах [Текст]: 9 // Вісн. Житомир. інж.-технол. ін-ту. Техн. науки.-С.47-55
|
| 10. | Ж14161 Фодчук И. М. Влияние одномерных деформаций на формирование изображений микродефектов на рентгеновских секционных топограммах [Текст] 22: 1 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.69-76
|
| 11. | Ж26988 Родіонов В. М. Вплив домішки азоту на процеси випромінювальної та безвипромінювальної рекомбінації в кубічному карбіді кремнію [Текст] 46: 9 // Укр. фіз. журн.-С.979-984
|
| 12. | Ж29109 Романова Д. В. Вплив електромагнітних променів на структуру напівпровідникових стекол [Текст]: 6 // Фіз.-хім. механіка матеріалів.-С.115-116
|
| 13. | Ж29109 Бончик О. Ю. Вплив напружень на дифузію домішок під час лазерного твердофазного легування кремнію [Текст] 36: 3 // Фіз.-хім. механіка матеріалів.-С.21-26
|
| 14. | Ж26988 Панчеха П. А. Гетерофазность и политекстура пленок теллурида кадмия, конденсированных из ионно-молекулярного потока [Текст] 45: 1 // Укр. фіз. журн.-С.75-80
|
| 15. | Ж60673 Голокоз П. П. Гидрогенизация аморфного кремния методом низкоэнергетичной имплантации изотопов водорода [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.154-156
|
| 16. | Ж60673 Глинчук К. Д. Изменение положения максимума и полуширины низкотемпературной (77 К) краевой полосы люминесценции при вариации концентрации фоновых легкоионизируемых примесей С и Si в нелегированных полуизолирующих кристаллах GaAs [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.58-63
|
| 17. | Ж60673 Богуславская Н. Н. Измерение электрофизических параметров тонких слоев карбида кремния методом спектроскопии ИК отражения [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.161-176
|
| 18. | Ж29137 Багацкая О. В. Импедансный подход к решению задачи об отражении плоской электромагнитной волны от многослойной пластины из одноосного магнитодиэлектрика [Текст] / О. В. Багацкая, С. Н. Шульга: 513 // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна.-С.25-31
|
| 19. | Ж60673 Горбик П. П. Исследование поверхностно-барьерных структур на основе поликристаллического CdS при облучении моноэнергетическими потоками электронов [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.108-111
|
| 20. | Ж14161 Авраменко С. Ф. Исследование структурных дефектов в объемных кристаллах карбида кремния [Текст] 22: 3 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.33-39
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка