Пошуковий запит: (<.>U=В379.226$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 783
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж16425 Volodin N. M. Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.78-83
|
| 2. | Ж26988 Панчеха П. А. Гетерофазность и политекстура пленок теллурида кадмия, конденсированных из ионно-молекулярного потока [Текст] 45: 1 // Укр. фіз. журн.-С.75-80
|
| 3. | Ж60673 Богуславская Н. Н. Измерение электрофизических параметров тонких слоев карбида кремния методом спектроскопии ИК отражения [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.161-176
|
| 4. | Ж14388 Сирюк Ю. А. Области существования двух типов спиральных доменных структур в феррит-гранатовых пленках [Текст] 11: 2 // Физика и техника высоких давлений.-С.107-114
|
| 5. | Ж14161 Федосюк В. М. Сверхтонкие электролитически осажденные многослойные Co/Cu- и CoNi/Cu-пленки на арсениде галлия [Текст] 22: 4 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.42-47
|
| 6. | Ж68777 Galiy P. Auger electron spectroscopy analysis of adsorbed gas condensated on the clevage crystal surfaces of indium and gallium chalcogenides [Текст] Т. 3 // Фіз. зб.-С.104-112
|
| 7. | Ж16425 Mamikonova V. M. Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.70-75
|
| 8. | Ж26988 Evtukh A. A. Investigation of electron and hole tunneling through thin silicon dioxide films [Текст] 46: 10 // Укр. фіз. журн.-С.1087-1093
|
| 9. | Ж26988 Evtukh A. A. Investigation of electron field emission from polycrystalline silicon films [Текст] 45: 7 // Укр. фіз. журн.-С.834-840
|
| 10. | Ж26988 Panchekha P. A. Modulated structure of fullerene - bismuth vacuum deposits [Текст] 46: 5-6 // Укр. фіз. журн.-С.610-613
|
| 11. | Ж60673 Сопінський М. В. Вплив умов отримання плівок PbI2 на їх структуру та фотостимульовану коагуляцію міді в системах PbI2 - Сu [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.78-85
|
| 12. | Ж60673 Манойлов Э. Г. Гистерезис вольт-амперных характеристик кремниевых нанокомпозитных пленок [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.142-146
|
| 13. | Ж60673 Мельничук О. В. Дослiдження тонких плiвок ZnO на поверхнi SiC 6H методом ІЧ спектроскопiї [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.146-154
|
| 14. | Ж26988 Вашпанов Ю. О. Електронні властивості та адсорбційна чутливість тонких плівок селеніду кадмію з модифікованою поверхнею [Текст] 44: 8 // Укр. фіз. журн.-С.1017-1021
|
| 15. | Ж68777 Савчин В. Катодолюмінесцентні дослідження поверхні сколу шаруватого кристала моноселеніду індію в процесі термообробки на повітрі [Текст] Т. 3 // Фіз. зб.-С.113-123
|
| 16. | Ж26988 Тетьоркін В. В. Край поглинання варізонних плівок Hg1 - xCdxTe, вирощених методом рідкофазної епітаксії [Текст] 44: 9 // Укр. фіз. журн.-С.1128-1132
|
| 17. | ВА594687 Венгер Е. Ф.НАН Украины. Ин-т физики полупроводников. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл - InP и металл - GaAs [Текст]
|
| 18. | Ж26988 Валах М. Я. Оптичні властивості SiO2-плівок, імплантованих іонами кремнію та вуглецю [Текст] 46: 10 // Укр. фіз. журн.-С.1065-1069
|
| 19. | Ж60673 Бекетов Г. В. Послойный рост эпитаксиальных слоев PbTe и свойства гетеропереходов на их основе [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.139-145
|
| 20. | Ж26988 Пляцко С. В. Структурні властивості шарів HgCdTe, вирощених методом лазерної епітаксії на підкладках кремнію [Текст] 46: 3 // Укр. фіз. журн.-С.360-364
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка