Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.24-4,022$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| | | | |
1. |
Тулупенко В. М. Інвертовані стани носіїв струму у напівпровідниках для середньої (lambda approx 10...50 мкм) і далекої інфрачервоної (lambda approx 50...200 мкм) областей спектра / В. М. Тулупенко; Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. - К., 1999. - 35 c. - укp.Показано переваги конфігурації полів Фогта перед конфігурацією Фарадея - для лазера на міжпідзонних переходах дірок у схрещених електричному і магнітному полях у германії, і схрещених напрямків одноосьового тиску і електричного поля перед збіжними напрямами останніх - для внутрішньоцентрової інверсії дірок у одноосьово деформованому германії. Теоретично і експериментально обгрунтовано пропозицію щодо утворення лазера на міжпідрівневих переходах носіїв струму у системі вертикально пов'язаних квантових точок і спеціально сконструйованих тунельно-пов'язаних квантових ям. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2,022 + В379.24-4,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА306824 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|