Пошуковий запит: (<.>U=В379.256$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 23
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | Ж29109 Бончик О. Ю. Вплив напружень на дифузію домішок під час лазерного твердофазного легування кремнію [Текст] 36: 3 // Фіз.-хім. механіка матеріалів.-С.21-26
|
2. | Ж14163 Величко О. И. Моделирование нелинейных процессов совместной диффузии примесных атомов и собственных точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах [Текст] 22: 4 // Электрон. моделирование.-С.115-123
|
3. | Ж26988 Неймаш В. Б. Про деякі особливості генерації та відпалу термодонорів у кремнії [Текст] 44: 8 // Укр. фіз. журн.-С.1011-1016
|
4. | Ж28079/фіз.-мат. Афанас'єва Т. В. Дифузія димерів Si-Si та Ge-Ge вздовж димерного ряду поверхні Ge (001) [Текст]: 1 // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки.-С.207-211
|
5. | Ж26618 Komarov F. F. Simulation of rapid thermal annealing of low-energy implanted arsenic in silicon [Текст] 8: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.494-499
|
6. | Ж69398 Максимов П. П. Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p - n переходами [Текст] 13: 3 // Радиофизика и электроника.-С.523-528
|
7. | РА305820 Кислюк В. В.НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. Електродифузія іонів як спосіб керування концентрацією мілких донорів у сульфіді кадмію [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07.- URL: /ard/1999/
|
8. | РА303980 Меняйло В. І.Запоріз. держ. ун-т. Моделювання процесів хемостимульованої міграції атомних часток у приповерхневих шарах напівпровідників [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10.- URL: /ard/1999/
|
9. | РА377495 Богданов С. Є.НАН України, Ін-т металофізики ім. Г.В. Курдюмова. Дифузія та структурно-фазові перетворення у вольфрамі і кремнії при низькоенергетичній зовнішній дії [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.13.- URL: /ard/2010/
|
10. | Ж26618 Гасюк І. М. Визначення коефіцієнта дифузії іонів літію в Fe3O4 методами циклічної вольтамперометрії та спектроскопії електродного імпедансу [Текст] 12: 1 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.244-252
|
11. | Ж26618 Шевчук В. Н. Вплив d-іонів на спектри дифузного відбивання нанопорошків TiO2 [Текст] 12: 1 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.95-100
|
12. | Ж72935 Фльорко О. Дослідження нелінійної дифузії домішки у деформівному напівпровідниковому шарі [Текст]: Вип. 11 // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології.-С.200-209
|
13. | Ж72935 Чекурін В. Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану [Текст]: Вип. 10 // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології.-С.138-148
|
14. | Ж26618 Vorzobova N. D. The process of periodic structures fabrication in photocurable composite materials [Текст] 13: 1 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.265-268
|
15. | Ж16425 Pavlovich I. I. Chemical-dynamic polishing of semiconductor materials based on Bi and Sb chalcogenides by using HNO3 - HCl solutions [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2011. т.Т. 14,N № 2.-С.200-202
|
16. | Ж73742 Лебедь О. Н. Метод диффузии примесей для определения вакансионного состава в монокристаллах ПИН GaAs [] // Науковий вісник Херсонської державної морської академії, 2013,N № 2.-С.124-129
|
17. | Ж41115 Artamonov V. V. Study of subsurface Si layers with a latent SiO2 layer [] // Functional Materials, 1998. т.Т. 5,N № 4.-С.551-554
|
18. | Ж41115 Nitsuk Yu. A. Optical absorption and diffusion of iron in ZnS single crystals [] // Functional Materials, 2012. т.Т. 19,N № 2.-С.182-186
|
19. | Ж41115 Fedorov A. G. Interdiffusion in EuS-based epitaxial superlattice nanostructures [] // Functional Materials, 2013. т.Т. 20,N № 3.-С.329-331
|
20. | Ж41115 Nitsuk Yu. A. Diffusion of chromium and impurity absorption in ZnS crystals [] // Functional Materials, 2013. т.Т. 20,N № 1.-С.10-14
|
| |