Пошуковий запит: (<.>U=В379.271$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1260
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж26988 Luzzi R. On Bogolyubov's principle of correlation weakening [Текст] 45: 12 // Укр. фіз. журн.-С.1498-1504
|
| 2. | Ж16425 Svechnikov S. V. Photosensitive porous silicon based structures [Текст] / S. V. Svechnikov, E. B. Kaganovich, E. G. Manoilov 1: 1 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.-С.13-17
|
| 3. | Ж14063 Fogel N. Ya. Quantum size effect and interlayer electron tunneling in metal-semiconductor superlattices [Текст] 25: 2 // Физика низ. температур.-С.168-171
|
| 4. | Ж16425 Vakulenko O. V. Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.88-89
|
| 5. | Ж26988 Сарбей О. Г. Автосолітони в нерівноважній біполярній плазмі багатодолинного напівпровідника [Текст] 44: 1-2 // Укр. фіз. журн.-С.190-196
|
| 6. | Ж26988 Ткач М. В. Властивості фононних, електронних та діркових спектрів деяких циліндричних наногетеросистем [Текст] 46: 7 // Укр. фіз. журн.-С.727-734
|
| 7. | Ж26988 Абрамов А. А. Вольт-амперні та ампер-барні залежності для діркового германію для схрещених напрямків одновісного тиску і електричного поля [Текст] 44: 3 // Укр. фіз. журн.-С.399-401
|
| 8. | Ж29109 Романова Д. В. Вплив електромагнітних променів на структуру напівпровідникових стекол [Текст]: 6 // Фіз.-хім. механіка матеріалів.-С.115-116
|
| 9. | Ж26988 Венгер Є. Ф. Вплив плазмон-фононного зв'язку на коефіцієнт відбиття в одновісному полярному напівпровіднику ZnO [Текст] 45: 8 // Укр. фіз. журн.-С.976-984
|
| 10. | Ж26988 Горлей П. М. Еволюція станів нерівноважної системи з двома типами носіїв [Текст] 44: 3 // Укр. фіз. журн.-С.357-365
|
| 11. | Ж26988 Соколовський Б. С. Екстракція фотоносіїв у варизонних шарах з омічними контактами [Текст] 45: 12 // Укр. фіз. журн.-С.1446-1452
|
| 12. | Ж26988 Вашпанов Ю. О. Електронні властивості та адсорбційна чутливість до аміаку мікропоруватого кремнію [Текст] 44: 4 // Укр. фіз. журн.-С.468-470
|
| 13. | Ж26988 Шнюков В. Ф. Ефект стимульованого струмом випаровування компонентів кристала арсеніду галію у вакуум [Текст] 45: 2 // Укр. фіз. журн.-С.193-197
|
| 14. | Ж26988 Стріха М. В. Зміна квантового виходу випромінювання у вузькозонних напівпровідниках під дією одновісного стиску [Текст] 45: 11 // Укр. фіз. журн.-С.1345-1347
|
| 15. | Ж26988 Демиденко Ю. В. Змішані поверхневі плазмон-фононні моди при адсорбції молекул на поверхню напівпровідника. 1. Дисперсія поверхневих хвиль [Текст] 46: 3 // Укр. фіз. журн.-С.349-354
|
| 16. | Ж26988 Покутній С. І. Макроскопічні об'ємні стани носіїв заряду в квазінульвимірних системах [Текст] 45: 10 // Укр. фіз. журн.-С.1193-1199
|
| 17. | Ж26988 Умаров Ф. Ф. Моделирование на ЭВМ имплантации ионов низких энергий в монокристаллы металлов и полупроводников в условиях каналирования [Текст] 44: 7 // Укр. фіз. журн.-С.830-837
|
| 18. | Ж26988 Шатерник В. Є. Надпровідні тунельні переходи з бар'єрами високої прозорості [Текст] 46: 8 // Укр. фіз. журн.-С.885-888
|
| 19. | В343884 Савицький А. В.Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Оптичні та фотоелектричні властивості напівпровідників. Ч. 2 [Текст]
|
| 20. | В343210 Савицький А. В.Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Оптичні і фотоелектричні властивості напівпровідників. Ч. 1 [Текст]
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка