Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2,022

Рубрики:

Електропровідність

Шифр НБУВ: ДС38184 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.271.26,022

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: ДС49677 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто змінення величини активного опору масивного провідника кільцевої та інших непрямолінійних форм при визначенні його за довжиною середньої лінії та повній площині поперечного перерізу, з одного боку, та при визначенні того ж опору за принципом паралельного з'єднання опорів елементарних віток, з іншого боку. Введено поняття (термін) коефіцієнта цього змінення, який менше одиниці, залежить від довжин окремих віток, площин поперечного перерізу їх, взаємного розміщення та від кількості розподілень провідника на елементарні вітки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + В379.271.2,022

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Електропровідність

Шифр НБУВ: РА307531 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Роботу присвячено комплексному експериментальному і теоретичному вивченню п'єзоопору в Si та Ge p-типу провідності для розробки на даній основі сенсорів механічних величин. Проведено теоретико-групову класифікацію деформаційних ефектів у алмазоподібних напівпровідниках і встановлено дозволені фізичні моделі п'єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Досліджено п'єзоопір у широкому діапазоні різнополярних деформацій 1,2 %... + 1 % і визначено деформаційні залежності їх констант п'єзо- та еластоопору. Доведено, що у деформованих Si та Ge важкі та легкі дірки характеризуються наборами ефективних мас, зумовлених енергією та деформацією. Розглянуто взаємозв'язок п'єзоопору та структури у тонких шарах Si та Ge. Істотного покращання характеристик сенсорів досягнуто завдяки використанню лазерно-рекристалізованих КНІ(кремній-на-ізоляторі)-структур.

  Скачати повний текст

Показано переваги конфігурації полів Фогта перед конфігурацією Фарадея - для лазера на міжпідзонних переходах дірок у схрещених електричному і магнітному полях у германії, і схрещених напрямків одноосьового тиску і електричного поля перед збіжними напрямами останніх - для внутрішньоцентрової інверсії дірок у одноосьово деформованому германії. Теоретично і експериментально обгрунтовано пропозицію щодо утворення лазера на міжпідрівневих переходах носіїв струму у системі вертикально пов'язаних квантових точок і спеціально сконструйованих тунельно-пов'язаних квантових ям.

Дисертацію присвячено встановленню динаміки переходу від коливних до хаотизованих станів біполярної стаціонарної і нестаціонарної системи носіїв у напівпровіднику в умовах дрейфової нестійкості. Виявлено і описано нові типи дивних атракторів в стаціонарній та нестаціонарній напівпровідникових системах з двома типами носіїв. Встановлено, що при наявності ефекту Гана системі електронів в h-GaAs властива властива переміжність хаотичних та впорядкованих станів. Запропоновано новий експрес-метод трасирування траекторій для дослідження топології фазових портретів і їх еволюції, який характеризується наочністю та простотою алгоритмічної реалізації, що обумовлює високу швидкість розрахунків, а також створено програмне забезпечення для комплексного дослідження процесів самоорганізації в складних динамічних системах.

В дисертації представлено результати теоретичних досліджень процесу резонансного тунелювання за участю глибоких станів в напівпровідникових структурах і зв'язаних з ним ефектів. Розраховуються і аналізуються енергетичні спектри двобар'єрної тунельно-резонансної структури, асиметричних подвійних квантових ям, надграток з макродефектами за умови, що в потенціальних бар'єрах вказаних структур знаходяться глибокі центри. Показано, що глибокі домішки кардинальним чином змінюють тунельні спектри невпорядкованих надграток різних типів. Пропонуються нові версії квазіперіодичних надграток Фібоначчі, а також ієрархічних НГ і аналізуються їх спектри. Продемонстровано сильний вплив розсіювачів на енергетичні спектри мезокристалів, транспортні властивості L-подібних квантових хвильоводів, тунельні спектри альтернованих надграток різних типів, характеристики контакту метал-напівпровідник. Розглянуто також деякі питання утворення глибоких станів в напівпровідниках.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2 + В379.13

Рубрики:

Електропровідність

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2 + В379.227

Рубрики:

Електропровідність

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Методом приєднаних плоских хвиль розраховано спектри електронів і дірок у надгратці циліндричних квантових дротів beta-HgS у матриці beta-CdS. Складова енергії, що обумовлена рухом квазічастинок у напрямку перпендикулярному аксіальній вісі дроту, являє собою чергування зон з додатньою та від'ємною ефективною масою. Врахування потенціалу надгратки квантових дротів приводить до зняття виродження за магнітним квантовим числом при відході від точки GAMMA зони Брілюена. Досліджено залежності енергій основних зон плоского руху квазічастинок від радіуса квантових дротів і відстані між дротами.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Експериментально досліджено вольт-амперні та ампер-барні залежності струму в одновісно деформованому дірковому германії при схрещених напрямках тиску і електричного поля при температурі 77 К. У потужних електричних полях виявлено особливості у поведінці струму при збільшенні величини тиску. На ампер-барних залежностях вони проявляються у вигляді максимуму струму для тиску 4,5 кбар. Отримані результати якісно пояснюються як наслідок перекидання дірок у валентну підзону з меншою поперечною ефективною масою за допомогою резонансних домішкових рівнів.

Проведено теоретичні дослідження трансформації станів нерівноважної системи біполярних носіїв в залежності від величини керуючого параметра в рамках одновимірної польової моделі ефекту Ганна. Розраховано біфуркаційну діаграму та максимальний показник Ляпунова. Показано, що еволюція системи від коливального стану до хаотичного на початковому етапі відбувається шляхом біфуркацій подвоєння періоду.

Подано основні відомості з фізики напівпровідників; описано і проілюстровано на схемах основні фізичні процеси, які відбуваються у p - n-переходах напівпровідникових структур, що зумовлені зовнішніми факторами. Розглянуто пробій p - n-переходу, у т.ч. лавинний, тунельний, тепловий, поверхневий і вторинний, а також генерацію і рекомбінацію носіїв в області об'ємного заряду.

Досліджено вплив анізотропії фононної та плазмової підсистем на властивості поверхневих фонноних і плазмон-фононних поляритонів у полярних, оптично-анізотропних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC і структурах на їх основі. Встановлено, що в одновісних монокристалах 6H-SiC і ZnO за умов орієнтації K symbol ^ C, ху symbol ^ С існує чотири та, відповідно, три типи змішаних поверхневих плазмон-фононних поляритонів (ППФП). Теоретично передбачено та експериментально підтверджено можливість існування при орієнтації К|С, ху|С у гексагональних монокристалах ZnO поверхневих фононних та змішаних плазмон-фононних поляритонів 2-го типу. Вперше доведено можливість дослідження коефіцієнтів затухання ППФП 1-го та 2-го типів у полярних напівпровідниках графічним методом. У спектрах ІЧ-відбивання сильно легованих 6H-SiC і ZnO за умов орієнтації К symbol ^ C, ху symbol ^ C виявлено оптичне явище розщеплення низько- та високочастотної областей прозорості. Доведено можливість визначення оптичних та електрофізичних властивостей тонких легованих плівок оксиду цинку на діелектричних і напівпровідникових підкладинках в області "залишкових променів" плівки та підкладинки методами спектроскопії порушеного повного внутрішнього відбивання та ІЧ-відбивання. На базі проведених досліджень розроблено безконтактний спосіб визначення концентрації та рухливості вільних носіїв зарядів у полярних кристалах. Створено оптико-механічний модулятор світлового потоку та неруйнівний спосіб визначення напрямку орієнтації оптичної осі оптично-анізотропних полярних одновісних кристалів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.273

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано особливості температурної поведінки сталої гратки та коефіцієнта теплового розширення кристалів кремнію в рамках моделі зарядів на зв'язках. З необхідною кількісною точністю описано коефіцієнт теплового розширення та фактор Грюнайзена для природного складу ізотопів. Докладно обмірковано вплив композиції ізотопів на значення сталої гратки.