Подано основні відомості з фізики напівпровідників; описано і проілюстровано на схемах основні фізичні процеси, які відбуваються у p - n-переходах напівпровідникових структур, що зумовлені зовнішніми факторами. Розглянуто пробій p - n-переходу, у т.ч. лавинний, тунельний, тепловий, поверхневий і вторинний, а також генерацію і рекомбінацію носіїв в області об'ємного заряду.

Проаналізовано особливості перетворення неелектричної величини в електричний сигнал у мікроелектронних структурах. Наведено фізичне обгрунтування ефективності використання електричних і фотоелектричних властивостей кремнієвих p-n переходів у мікроелектронних вимірювальних перетворювачах неелектричних величин. Увагу приділено конструкторсько-технологічній реалізації багатосенсорної мікроелектронної структури та малогабаритних діодних сенсорів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З973-044.3 я73-1 + З884.1 я73-1 + В379.271.21 я73-1

Рубрики:

Комп'ютери та програмування

Радіозв'язок

р-n переходи

Шифр НБУВ: ВА839538 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Подано матеріал, що сприятиме розробці у студентів навичок самостійної експериментальної роботи, та застосуванню теоретичних знань для вирішення практичних задач. Досліджено, що процес рекомбінації є зворотним по відношенню до збудження і полягає в переході носіїв заряду з вільного в зв’язаний стан. Діючи спільно, ці два взаємопов’язаних процеси, - збудження і рекомбінація, - забезпечують стаціонарне значення концентрації вільних зарядів і, відповідно, визначають величину протікаючого в кристалі електричного струму. Зазначено, що з рекомбінацією безпосередньо пов’язані значення таких важливих характеристик, як дифузійна довжина і час життя у вільному стані носіїв заряду. Якщо зовнішня дія на кристал теплом або світлом безпосередньо визначають процес збудження, тобто звільнення електрона або дірки у вільний стан, то процес рекомбінації відбувається спонтанно. Інтенсивність рекомбінації і її зміну оцінено по концентрації вільних зарядів та її зміні. Констатовано, що рекомбінація завжди означає взаємодію електрона і дірки. Описано лінійну і квадратичну рекомбінацію, рекомбінацію за відсутності рівнів прилипання, рекомбінацію за наявності одного типу центрів рекомбінації і рівнів прилипання. Охарактеризовано лінійну залежність фотоструму від інтенсивності світла, сублінійну залежність фотоструму від інтенсивності світла, зчувствлення фотопровідника шляхом введення нових рекомбінаційних рівнів тощо.