Пошуковий запит: (<.>U=В379.271.4$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 173
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж26988 Венгер Є. Ф. Вплив плазмон-фононного зв'язку на коефіцієнт відбиття в одновісному полярному напівпровіднику ZnO [Текст] 45: 8 // Укр. фіз. журн.-С.976-984
|
| 2. | В343884 Савицький А. В.Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Оптичні та фотоелектричні властивості напівпровідників. Ч. 2 [Текст]
|
| 3. | В343210 Савицький А. В.Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Оптичні і фотоелектричні властивості напівпровідників. Ч. 1 [Текст]
|
| 4. | Ж60673 Горбик П. П. Фотоэлектрическое преобразование в поверхностно-барьерных структурах на основе селенида кадмия [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.112-115
|
| 5. | ВА589388 Семак Д. Г. Фізика нерівноважних явищ у напівпровідниках: Спецпрактикум [Текст] : Навч. посіб. для студ. фіз. спец. вузів
|
| 6. | Ж26988 Боровий М. О. Вплив типу та енергії іонізуючої частинки на інтенсивність рентгенівської KL2,3 - емісії атомів кремнію [Текст] 46: 1 // Укр. фіз. журн.-С.70-73
|
| 7. | Ж60673 Попов В. Г. Короткохвильова фоточутливiсть кремнiєвих структур з p - n-переходом, утвореним з використанням термодонорiв, стимульованих iмплантацiєю iонiв вуглецю [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.185-190
|
| 8. | Ж28852/Фіз Крюковський С. Гетерофотоелементи pAlGaAs/nGaAs підвищеної ефективності з шаром GaAs, комплексно легованим Al ТaYb [Текст]: Вип. 38, ч. 2 // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. фіз.-С.276-283
|
| 9. | Ж14388 Поляков П. И. Закономерности расположения критических линий и точек в изменениях фазовых переходов и свойств магнитных полупроводников [Текст] 13: 1 // Физика и техника высоких давлений.-С.150-156
|
| 10. | Ж26988 Саченко А. В. Особливості фотоперетворення в мульти- та мікрокристалічному кремнії [Текст] 48: 5 // Укр. фіз. журн.-С.444-448
|
| 11. | Ж26988 Саченко А. В. Фотоперетворення в полікристалічному кремнії. Теоретична модель [Текст] 46: 11 // Укр. фіз. журн.-С.1167-1173
|
| 12. | Ж72631 Колбасов Г. Я. Фотоэлектрохимические процессы на GaAs и InP, модифицированных наноразмерными частицами CdS [Текст] 2: Вип. 1 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.-С.169-177
|
| 13. | Ж26988 Burbelo R. M. Photothermoacoustic effect in ion-beam implanted Si-based structures [Текст] 49: 9 // Укр. фіз. журн.-С.900-904
|
| 14. | Ж26988 Khrypunov G. S. Peculiarities of photo-electric processes in thin-film CdS/CdTe/ITO heterosystems [Текст] 50: 4 // Укр. фіз. журн.-С.389-393
|
| 15. | Ж67522 Glushkov A. V. Multi-particle theory of photo-effect. Multi-photon absorption in molecules [Текст]: Вып. 13 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.-С.115-118
|
| 16. | Ж29137 Ефимова Н. Н. Гистерезисные свойства спинового стекла BaFe8,4In3,6O19 [Текст]: N 651, вип. 8 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Сер. Фізика.-С.97-100
|
| 17. | Ж29137 Ефимова Н. Н. Динамическая восприимчивость возвратных ферримагнетиков BaFe12-хInxO19 c x = 2,8 и 3,2 [Текст]: N 651, вип. 8 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Сер. Фізика.-С.89-92
|
| 18. | Ж26988 Карачевцева Л. А. Кінетика фотопровідності в структурах макропористого кремнію [Текст] 53: 9 // Укр. фіз. журн.-С.875-881
|
| 19. | Ж72631 Данильченко Б. О. Надшвидка фотопровідність гетероструктур AlGaN/GaN широкозонних напівпровідників [Текст] 5: вип. 1 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.-С.91-103
|
| 20. | Ж26618 Зуєв В. О. Поверхневий потенціал в кристалах CdP2 [Текст] 9: 1 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.97-100
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка