Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Автореферати дисертацій (2) | Книжкові видання та компакт-диски (12) |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.327,022$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
||||
| 1. | Жидков О. В. Електронні процеси в опромінених діелектриках та властивості композицій, що містять ядерне паливо : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук / О. В. Жидков; НАН України. Ін-т фізики конденс. систем. - Л., 2006. - 32 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.327,022 + З46-035 Рубрики: Шифр НБУВ: РА348745 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Мельник О. Я. Електронні релаксації радіаційних дефектів приповерхневого шару кристалів цезій галоїдів та екзоемісія електронів : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / О. Я. Мельник; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. - Івано-Франківськ, 2005. - 18 c. - укp. Досліджено взаємозв'язок явища екзоемісії електронів і електронних релаксацій радіаційних дефектів. Проведено теоретичні дослідження термостимулювальної екзоемісії, зумовленої процесами рекомбінаційного відпалу комплементарних центрів забарвлення радіаційно опромінених кристалів CsBr і CsI. У рамках побудованої Оже-подібної рекомбінаційної моделі явища розраховано концентрації екзоемісійно-активних центрів і показано тотожність цих центрів та електронних F-центрів забарвлення. Розраховано ряд кінетичних параметрів процесів (енергію активації, частотний фактор, ефективний перетин рекомбінацій), а одержані їх значення підтверджують рекомбінаційну природу явища екзоемісії. В одноелектронному наближенні механізму рекомбінації дефектів для CsBr і CsI розраховано енергетичні спектри народжених екзоелектронів. Одержано характеристики цих спектрів, а також величину ймовірності подолання поверхневого енергетичного бар'єра екзоелектронами. Проведено модельні оцінки глибини виходу екзоелектронів, народжених у результаті екзореакцій, з урахуванням енергетичних втрат під час розсіяння на фононах та дефектах. Зроблено оцінки товщини екзоемісійно-активного приповерхневого скін-шару кристалу CsBr і показано ефективність екзоемісійного методу для дефектоскопії поверхні та тонких приповерхневих шарів. Розглянуто загасання струму ізотермічної екзоемісії, зумовленої тунелями та термоактивованими рекомбінаціями, за кімнатної температури. Шляхом формального аналізу експериментальних кривих загасання підтверджено другий порядок кінетики явища. Установлено, що термоактивовані рекомбінаційні комплементарні пари центрів забарвлення відіграють визначальну  Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: В379.327,022 + В381.5:022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА340815 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Павлик Б. В. Радіаційно- і термостимульовані процеси агрегатизації дефектів та виділення компонент діелектричних та напівпровідникових кристалів : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Б. В. Павлик; Львів. держ. ун-т ім. І.Франка. - Л., 1999. - 32 c. - укp. - рус. Дисертацію присвячено питанням взаємодії іонізуючого випромінювання з діелектричними та напівпровідниковими кристалами (на прикладі NaCl, CrJ та CdS і CdS і CdTe) в широкому діапазоні температур (80 К-770 К). Встановлено, що домішка водню стимулює ефективність процесу радіолізу лужногалоїдних кристалів. Запропоновано модель процесу агрегатизації дефектів та виділення компонент діелектричних водневомісних кристалів, яка базується на високій ефективності утворення електронних та діркових центрів завдяки високій рухливості водневих дефектів. Показано, що низькодозне опромінення кристалів CdS та CdTe стимулює впорядкування структури в їх приповерхневих шарах. Обгрунтовано механізм термо- і механостимульованого виділення надстехіометричного кадмію з високодозно опромінених напівпровідникових кристалів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227,022 + В379.327,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА304401 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Бояринцева Я. А. Радіаційно-стимульовані процеси в діелектричних матрицях Msub1-x/subRsubx/subFsub2+x/sub(Msup2+/sup = Ca, Sr, Ba, Rsup3+/sup = Ce, Pr, x = 0,35) : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Я. А. Бояринцева; НАН України, Ін-т монокристалів. - Х., 2013. - 20 c. - укp.
Шифр НБУВ: РА402990 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Ніколаєнко А. В. Вплив опромінення на трансформацію модульованих структур у потрійних халькогенідних сегнетоелектриках : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / А. В. Ніколаєнко; Київський національний університет імені Тараса Шевченка. - Київ, 2018. - 20 c. - укp.
Шифр НБУВ: РА433218 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського