Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.351,0$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
|
| | | | |
1. |
Корчак Ю. М. Вплив координаційного оточення іону Меsup2+/sup(Ме=Cu,Со) на оптико-фізичні властивості кристалів ряду Аsub2/subМеХsub4/sub : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Ю. М. Корчак; Львів. держ. ун-т ім. І.Франка. - Л., 1999. - 16 c. - укp. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.347,022 + В379.351,022 + Г522.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА304948 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Звягіна Г. А. Пружні властивості сегнетоеластиків поблизу фазових переходів : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Г. А. Звягіна; НАН України. Фіз.-техн. ін-т низ. температур ім. Б.І.Вєркіна. - Х., 2004. - 16 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.351,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА332105 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Ісаєнко Г. Л. Фазові перетворення в політипах халькогенідних сегнетоелектриків-напівпровідників з неспівмірними фазами : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Г. Л. Ісаєнко; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова. - К., 2012. - 19 c. - укp.Вперше на основі порівняльних досліджень фізичних властивостей політипів C та 2С кристалів TlGaSe{\dn\fn8 2} і TlInS{\dn\fn8 2} виявлено особливості температурних фазових перетворень, що відбуваються в інтервалі температур від 100 до 300 К. Вперше показано, що на відміну від С політипів кристалів TlGaSe{\dn\fn8 2} і TlInS{\dn\fn8 2} в їх 2С політипах в інтервалі температур від 100 до 300 К відсутні фазові переходи I роду, які призводять до зміни трансляційної симетрії уздовж осі С. Вперше виявлено, що політипія суттєво впливає на характер зміни з температурою параметра \i c \i0 елементарної комірки кристалів TlGaSe{\dn\fn8 2}. Вперше показано, що політипія впливає не тільки на температурне положення сегнетоелектричних фазових переходів у кристалах TlGaSe{\dn\fn8 2} і TlInS{\dn\fn8 2}, але й на механізми утворення в них полярного стану. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7,022 + В379.351,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА388973 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Фургала Ю. М. Люмінесценція та фазові переходи в кристалах складних галогенідів з структурою типу бета- К2SO4 : Дис... канд. фіз.- мат. наук: 01.04.10 / Ю. М. Фургала; Львівський державний університет імені Івана Франка. - Львів, 1995. - 171 с. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.351,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: ДС49633 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Кохан О. П. Взаємодія в системах Ag2X-BIVX2 (BIV-SI, Ge, Sn; X-S, Se) і властивості сполук : Дис... канд. хім. наук: 02.00.01 / О. П. Кохан; Ужгородський державний університет. - Ужгород, 1996. - 140 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Г522.1 + В379.351,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: ДС51283 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|