Передбачено існування в сегнетоелектриках додаткових поперечних електричних (ТЕ) та магнітних (ТМ) поверхневих поляритонів, обумовлених магнітоелектричною взаємодією. Проаналізовано спектр нових типів поверхневих поляритонів у випадку перпендикулярного напрямку електричної поляризації відносно поверхні кристала. Ці поляритони є різними у сегнетоелектричних доменах з протилежними напрямами спонтанної електричної поляризації. Так, поверхневі ТЕ поляритони існують лише в доменах, в яких електрична поляризація спрямована у глибину речовини. Крім того, магнітоелектрична взаємодія індукує такі ефекти, як подвійне заломлення і аномальну дисперсію ТМ поляритонів. Більш того, виявляється, що ТМ поляритони можуть існувати у тих типах сегнетоелектриків, в яких раніше вони були заборонені. Ці ж ефекти повинні відбуватися не тільки в сегнетоелектриках, але і в звичайних діелектриках, в постійному електричному полі, перпендикулярному поверхні кристала. Згадана вище асиметрія ефектів, у тому числі їх "увімкнення" і "вимкнення" повинна спостерігатися при зміні напрямку зовнішнього електричного поля.

На прикладі збудження другої гармоніки побудовано теорію нелінійної взаємодії електромагнітних хвиль у напівобмеженій періодичній діелектричній структурі. Припущено, що один із шарів, які утворюють період, має нелінійну поляризацію. Методика аналізу, яка базується на формулі Гріна, є розвитком теорії збурювання. Показано, що умовами синхронізму для взаємодіючих хвиль є бреггівські резонанси або на окремих шарах, або на періоді структури. Крім того, наведений розгляд показує, що найбільш ефективна взаємодія має місце на межах смуг пропускання у разі резонансу на цілому періоді.

На основі мікроскопічного формалізму розглянуто задачу про локалізацію хвильової функції зарядженої частинки у сегнетоелектрику типу порядок - непорядок. Отримано ефективний функціонал енергії для системи сегнетоелектрик - заряджена частинка. Обговорюються залежності параметрів локалізованого стану від параметрів сегнетоелектричного кристала.

У рамках псевдоспінового формалізму для сегнетоелектриків типу порядок - непорядок отримано розв'язки, що описують біжучі нелінійні акустичні хвилі, зв'язані з поляризацією кристала. Знайдено і проаналізовано умови існування таких хвиль. Запропоновано інтерпретацію їх як солітонних решіток.

Проявление ортогональных компонент спонтанной поляризации при отсутствии признаков сегнетоэлектричества не нарушает принципа Кюри-Неймана. Эти компоненты формируются при выращивании линейного пироэлектрика, присущи ему всегда, но их величины на несколько порядков меньше, чем спонтанная поляризация по выделенной полярной оси. Низкотемпературное проявление компонент обусловлено только особенностью механизма их пироэлектричества - разупорядочением заряженных структурных единиц в асимметричных потенциальных ямах.

Досліджено електромагнітні властивості системи феродіелектрик - провідне середовище в постійному магнітному полі при низьких температурах. Показано, що при достатньо високій концентрації носіїв заряду у сильному магнітному полі виникають нові вітки коливань - псевдоповерхневі хвилі, які характеризуються беззіткнувальним загасанням. Механізм беззіткнувального (радіаційного) загасання пов'язано з існуванням поряд з електромагнітними полями поверхневих хвиль додаткових полів, що розповсюджуються у глибінь провідного середовища. Визначено область існування розглянутих хвиль, знайдено функціональну залежність їх частоти та загасання від величини та напрямку зовнішнього магнітного поля.

Виміряно значення швидкостей звукових коливань для різних напрямів розповсюдження та поляризації у шарових лужних молібдатах за низьких температур. Проведено порівняння експериментально знайдених абсолютних швидкостей звуку у віртуальних сегнетоеластиках і в системах з кооперативним ефектом Яна - Теллєра. Експериментально досліджено температурні залежності швидкостей звуку у цих системах. Зміна швидкостей звуку в зовнішньому магнітному полі вперше прямо доводить наявність взаємодії між магнітною та пружною підсистемами віртуального сегнетоеластика. Порівняння з теоретичними розрахунками свідчить про наявність нелінійного зв'язку електронної підсистеми з оптичними фононами.

Розглянуто п'єзоелектричний механізм орієнтації страйпів у двовимірних електронних системах у гетероструктурах GaAs-AlGaAs. Показано, що враховуючи анізотропію пружних модулів і вплив межі зразка, теорія дає орієнтацію страйпів уздовж [110] напряму, що відповідає експериментальним даним. Для двошарової системи знайдено ефект переорієнтації страйп-структури вздовж напряму [100] у випадку, коли період структури перевищує відстань між шарами.

Рассмотрены основы теории частично заполненных диэлектриком волноводов и методики расчета элементов и устройств СВЧ на таких волноводах: плавных и ступенчатых переходов, изгибов, вращающихся сочленений, фазовращателей, поляризаторов, частотных и поляризационных фильтров, тройников, щелевых мостов, направленных ответвителей. Получены аналитические выражения для интегралов с конечными пределами интегрирования от произведений функций Бесселя первого и второго родов с разными порядками и различными сложными аргументами.

Досліджено вплив поверхні на зміну вектора поляризації в доменній стінці плівок сегнетоелектриків. Показано, що врахування впливу поверхні призводить до неоднорідності в розподілі поляризації за товщиною плівки. Розглянуто поведінку вектора поляризації в найбільш характерній точці - центрі доменної стінки. Отримано аналітичні вирази для полів деполяризації сегнетоелектричних плівок.

Вперше пропонується програма розвитку єдиного комплексного підходу до вивчення індукованих поляризаційних явищ, які виникають у широкому класі нецентросиметричних кристалів за нерівноважних теплових умов. Закладено основу для побудови в рамках нерівноважної термодинаміки квазістатичної теорії індукованого піроелектричного ефекту (піроефекту). На розвинутій теоретичній базі та розроблених оригінальних методах експериментального дослідження третинного піроефекту пропонується нетрадиційний шлях створення піроелектрично активних середовищ (як альтернатива до синтезу нових матеріалів) на основі існуючих неполярних структур, що дає змогу реалізувати нові методи керування фізичними властивостями кристалів. Встановлюються фізичні механізми формування індукованих зовнішньою векторною дією полярних станів у кристалах непіроелектричних класів з метою розробки принципово нових технологій у піроелектричному матеріалознавстві та приладобудуванні.

В связи с использованием разряда вблизи поверхности диэлектрика в многоканальных малоиндуктивных разрядниках и для более обоснованного подхода к компоновке элементов высоковольтного импульсного оборудования, с точки зрения его электрической прочности, предложен механизм развития пробоя и математическая модель поля такой электродной системы. Применен метод вторичных источников, расчет поля при этом сводится к решению системы интегральных уравнений в виде тригонометрических и степенных рядов.

Наведено просте та наочне пояснення одержаному Шепом і Бауером універсальному розподілу прозоростей ізолювального шару з великою густиною випадкових розсіювальних центрів. Розраховано форму диференціальної провідності контакту нормального інжектора з надпровідником, розділених неоднорідним діелектричним прошарком. Обговорено наявні експериментальні дані щодо квантового транспорту крізь діелектричні шари з високою прозорістю.

Исследовано влияние сверхпроводящих включений, находящихся в полупpоводниковой или диэлектрической матрице, на электрофизические свойства диэлектрика. В предположении, что радиус включений меньше или порядка длины когерентности, определено критическое магнитное поле сферического единичного включения. Для кристалла с множеством включений рассчитана зависимость проводимости от темпеpатуpы и магнитного поля. При расчетах проводимости предполагалось, что концентрация включений недостаточна для появления сверхпроводимости во всем образце (т.е. ниже порога протекания). Показано, что наличие сверхпроводящих включений приводит к резкому увеличению проводимости образца при низких температурах и сильной зависимости проводимости от магнитного поля магнитосопротивлению. Магнитосопротивление обусловлено подавлением сверхпроводимости во включениях с ростом магнитного поля. Изучено влияние разброса размеров включений на температурную и магнитополевую зависимости проводимости.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.37

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості діелектриків

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Виявлено та детально експериментально і теоретично досліджено новий тип уловлювачів для носіїв заряду - дипольні уловлювачі - в домішкових неполярних молекулярних кристалах. Дипольні уловлювачі виникають на молекулах кристала в околі дипольної домішкової молекули, а їх глибина визначається електростатичною взаємодією носіїв заряду з постійним дипольним моментом домішки. Досліджено енергетичний спектр дипольних уловлювачів із зростанням концентрації дипольної домішки. Розроблено мікроскопічну модель дипольних уловлювачів різної структури і отримано інформацію про положення та орієнтацію молекул у кластерах диполів. Дипольні уловлювачі для носіїв заряду було виявлено також у чистих молекулярних кристалах, що складаються з дипольних молекул. Ці уловлювачі зумовлені наявністю характерних для таких кристалів орієнтаційних структурних дефектів, що являють собою переорієнтовані на 180 ° молекули кристала. Проведено розрахунки глибин уловлювачів, які виникають на молекулах кристала в околі одної, двох та трьох переорієнтованих молекул, і отримано добре узгодження з експериментальними результатами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371

Рубрики:

Електричні властивості діелектриків

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371

Рубрики:

Електричні властивості діелектриків

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7 + В381.63

Рубрики:

П'єзоелектричні і сегнетоелектричні явища. Фізика п'єзоелектриків і сегнетоелектриків (фероелектриків)

Метод ядерного квадрупольного резонансу (ЯКР) в ядерних дослідженнях

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.37

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості діелектриків

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ