З використанням методів іонно-променевого аналізу проведено експериментальне роздільне дослідження динамічних процесів імплантації та розпилення під час взаємодії іонного пучка вуглецю з вольфрамовою поверхнею та якісно поліпшено методику перевірки точності числового моделювання за допомогою імплантаційно-розпилювальних кривих. Експериментально й теоретично досліджено вплив мікронерівностей вольфраму на динаміку елементної сполуки поверхневого шару за умов впливу пучків вуглецю й дейтерію. Встановлено, що у разі взаємодії іонів вуглецю з поверхнею вольфраму, утворення хімічних сполук неістотно впливає на процеси розпилення й імплантації, а внесок хімічних ефектів набагато менший, ніж вплив шорсткості. Теоретично розраховано й експериментально визначено межу переходу, за якої розпилення поверхні іонами вольфраму іонами вуглецю й гелію переходить в утворення захисної вуглецевої плівки на поверхні вольфраму. Показано, що процес кінетично індукованого хімічного розпилення, який обумовлюється утворенням D-C зв'язків, істотно не впливає на ерозію поверхні за одночасного розпилення вольфраму пучками дейтерію й вуглецю. Встановлено, що концентрація імплантованого вуглецю набагато перевищує концентрацію утриманого дейтерію, що найбільш імовірно і є чинником, який обумовлює малий вплив хімічних процесів.