Пошуковий запит: (<.>U=В381.59$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 115
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Р85329 Кондратьєв С. М. Установка для вимірювання повних перерізів реакцій під дією важких іонів [Текст]
|
| 2. | Ж22412/а Будник М. М. Динаміка двоконтактного надпровідникового квантового інтерферометра у S-стані [] // Доповіді Національної академії наук України, 1999,N № 1.-С.75-78
|
| 3. | Ж16425 Litovchenko P. G. Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons [Текст] 2: 2 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.90-91
|
| 4. | ВА589866 Войлов Ю. Г.Восточноукр. гос. ун-т. Н.-и. и проект.-конструкт. ин-т "Искра". Системы гамма-видения [Текст]
|
| 5. | Ж41115 Abyzov A. S. Correlation between spectrometric ability and physical properties of semiconductor detectors [] // Functional Materials, 2000. т.Т. 7,N № 4.-С.827-835
|
| 6. | Ж16425 Ilchuk A. Photopleochroism of surface-barrier structures of seminsulating cadmium telluride [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2000. т.Т. 3,N № 3.-С.349-351
|
| 7. | Ж63671 Войлов Ю. Г. Имитационные модели систем гамма-видения с гексагональной кодирующей апертурой [] // Адаптивні системи автоматичного управління, 2000,N Вип. 3.-С.9-15
|
| 8. | Ж41115 Naydenov S. V. Stochastic theory of light collection. 4. Geometric-dynamic features of light collection in real detectors [] // Functional Materials, 2001. т.Т. 8,N № 3.-С.423-427
|
| 9. | Ж26988 Горпинич О. К. Про визначення енергетичних параметрів в кореляційних експериментах [Текст] 47: 12 // Укр. фіз. журн.-С.1185-1192
|
| 10. | РА324301 Рибка О. В.Нац. наук. центр "Харк. фіз.-техн. ін-т". Детектори на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe для дозиметрії іонізуючого випромінювання [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.21.- URL: /ard/2003/
|
| 11. | Ж23042 Маслянчук О. Л. Енергетична роздільна здатність детекторів іонізуючого випромінювання на основі CdTe з термоелектричним охолодженням [Текст]: 4 // Термоелектрика.-С.76-82
|
| 12. | РА333267 Маслянчук О. Л.Чернів. нац ун-т ім. Ю.Федьковича. Механізми переносу заряду і детектування Х- і <$Egamma>-випромінювання в монокристалах та діодах на основі CdTe [Текст] : Автореф. дис. канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О. Л. Маслянчук ; Чернів. нац ун-т ім. Ю.Федьковича
|
| 13. | Ж14479 Абызов А. С. Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения. [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.3-7
|
| 14. | Ж14479 Кондрик А. И. Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов <$Ebold gamma>-излучения на его основе [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.17-22
|
| 15. | Ж69231 Дудник А. Б. Система питания магнитного спектрометра [Текст]: 12 // Вісн. Сум. держ. ун-ту. Сер. Техн. науки.-С.56-63
|
| 16. | РА341872 Кутній Д. В.НАН України. Ін-т електрофізики і радіац. технологій. Створення та модифікація структур Me-CdZnTe-Me для детектування гамма-випромінювання [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук.- URL: /ard/2005/
|
| 17. | Ж16425 Kosyachenko L. A. Active region of CdTe X-/<$E bold gamma>-ray detector with Schottky diode [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2005. т.Т. 8,N № 2.-С.45-50
|
| 18. | Ж69219 Ткачук П. М. Визначення функціональних можливостей детекторів ядерного випромінювання з активними елементами на основі монокристалів CdTe<> [Текст]: Вип. 268 // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка.-С.28-32
|
| 19. | Ж29137 Шевченко О. С. Фотовозбуждение изомеров <$E bold {nothing sup 115 roman In}> и <$E bold { nothing sup 113 roman In}> при энергии до 3,0 МэВ [Текст]: N 710, вип. 3 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Сер. фіз. "Ядра, частинки, поля".-С.81-86
|
| 20. | Ж67522 Stafeev V. I. Photodetectors of ultraviolet range on the base of <$E bold {A sub 3 B sub 5}> compositions [Текст]: Вып. 14 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.-С.19-20
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка
