Пошуковий запит: (<.>U=Ж619$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 298
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж26618 Погребняк О. Д. Одержання одно- і двошарових плівок на основі <$Ebold { roman {YBa sub 2 Cu} sub 3 roman O sub {7~-~x } }> з абеляційної плазми, ініційованої лазерною дією [Текст] 4: 4 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.681-685
|
| 2. | Ж26618 Kotlyarchuk B. K. Pulsed Laser Deposition of <$Eroman bold {ZrO sub 2 }> Thin Films for Application in Microelectronic Devices [Текст] 4: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.434-439
|
| 3. | Ж14479 Самойлович М. И. Строение и высокотемпературная сверхпроводимость пленок <$Eroman bold {Bi sub 2 Sr sub 2 CaCu sub 2 } { roman O } sub y> [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.48-60
|
| 4. | ВА696902 Проценко І. Ю.Сум. держ. ун-т. Технологія одержання і застосування плівкових матеріалів [Текст] : навч. посіб.
|
| 5. | Ж26618 Котлярчук Б. К. Властивості тонких шарів нітриду галію, одержаних з допомогою імпульсної лазерної реактивної технології [Текст] 5: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.481-484
|
| 6. | Ж14159 Лысенко А. В. Высокомолекулярные исследования синтеза, структуры и свойств пленок <$Ebold alpha>-С:Н [Текст]: 4 // Сверхтвердые материалы.-С.15-22
|
| 7. | Ж14738 Бурмистр М. В. Полиионены в золь-гель синтезе материалов [Текст]: 6 // Хім. пром-сть України.-С.34-38
|
| 8. | Ж14159 Васин А. В. Сравнительный анализ тонких пленок гидрогенизированного и негидрогенизированного аморфного карбида кремния [Текст]: 3 // Сверхтвердые материалы.-С.36-46
|
| 9. | Ж21854 Наджафова О. Ю. Химико-аналитические характеристики пленок на основе оксида кремния и поливинилсульфокислоты [Текст] 70: 5-6 // Укр. хим. журн.-С.113-119
|
| 10. | Ж26618 Горбик П. П. Хімічний метод одержання нанокристалічних текстурованих плівок оксиду цинку [Текст] 5: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.552-556
|
| 11. | Ж26618 Ovrutsky A. M. Monte-Carlo modeling of crystallization of thin films [Текст] 5: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.498-503
|
| 12. | Ж24835 Ambrosov S. V. Laser photoionization technology and new equipment principal scheme for preparing the films of super pure composition at atomic level [Текст]: 2 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.-С.38-41
|
| 13. | Ж72631 Melnik Yu. Growth of Epitaxial CoSi2 Thin Layers on Si(100) Wafers [Текст] 2: вип. 2 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.-С.441-452
|
| 14. | Ж60673 Примаченко В. Е. Электрофизические свойства границ раздела пленка пористого (нанокристаллического) кремния/монокремний [Текст]: Вып. 39 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.97-110
|
| 15. | Ж72631 Мовчан Б. А. Электронно-лучевая технология испарения и осаждения из паровой фазы неорганических материалов с аморфной, нано- и микроструктурой [Текст] 2: Вип. 4 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.-С.1103-1126
|
| 16. | Ж60673 Данько В. А. Формування фотолюмінесцентних структур на основі поруватих плівок SiOx [Текст]: Вып. 39 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.65-72
|
| 17. | Ж16492 Павлова О. П. Формування епітаксійних плівок силіцидів перехідних металів на кремнії [Текст]: 4 // Наук. вісті НТУУ "КПІ".-С.75-82
|
| 18. | Ж14257 Дабижа Е. В. Современные вакуумные технологии получения покрытий [Текст]: 4 // Соврем. электрометаллургия.-С.34-40
|
| 19. | Ж26618 Калитчук І. В. Розсіювання носіїв заряду в плівках n-PbS [Текст] 5: 1 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.106-112
|
| 20. | Ж14159 Старик С. П. Оптичні характеристики вуглецевих покриттів на підкладках кремнію [Текст]: 6 // Сверхтвердые материалы.-С.64-68
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка