Пошуковий запит: (<.>U=З843.312$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 112
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | ДС50434 Панкевич І. М. Прогнозування та модифікація лазерним випрмінюванням властивостей шарів полікремнію в структурах "кремній-на-діелектрику" [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Панкевич Ігор Миронович ; Державний ун-т "Львівська політехніка"
|
| 2. | Ж60673 Хоменкова Л. Ю. Практическое применение пористого кремния [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.14-27
|
| 3. | Ж16683 Шаповалов В. П. Кластеризация микродефектов в кремнии при термическом окислении [Текст]: 1 // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління.-С.46-48
|
| 4. | РА305478 Хрипко С. Л.Запоріз. держ. ун-т. Структура та фізичні властивості кремнійових композицій з розупорядкованими шарами [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10.- URL: /ard/1999/
|
| 5. | РА310414 Клюй М. І.Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи [Текст] : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07.- URL: /ard/2000/
|
| 6. | РА310860 Кукла О. Л.НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. Механізми переносу заряду та речовини у мікроелектронних сенсорах та сенсорних масивах для контролю токсичних речовин у оточуючому середовищі [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.01.- URL: /ard/2000/
|
| 7. | Ж60673 Войциховский Д. И. Влияние быстрого термического отжига и gamma-радиации на механизм формирования границы раздела TiB2 - n - n+ - Si [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.134-139
|
| 8. | Ж27665/рад. эл. Гончарук Н. М. Контакты для кремниевых микроволновых полупроводниковых приборов [Текст] 43: 5-6, [ч. 1] // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.53-61
|
| 9. | Ж60673 Кукла А. Л. Оптимизация и выбор условий для функционирования емкостных сенсорных структур электролит - диэлектрик - кремний [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.16-25
|
| 10. | РА315509 Романюк А. Б.НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. Властивості модифікованих вуглецевих плівок та шаруватих структур на основі кремнію [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07.- URL: /ard/2001/
|
| 11. | Ж60673 Горбань А. П. О температурных зависимостях равновесных и неравновесных характеристик в кремнии [Текст]: Вып. 36 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.161-165
|
| 12. | Ж60673 Венгер Е. Ф. Эффект старения граничных электронных свойств кремния в гетеропереходах нано-/монокремний [Текст]: Вып. 36 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.49-56
|
| 13. | Ж16425 Litovchenko P. G. Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2001. т.Т. 4,N № 2.-С.85-90
|
| 14. | Ж16425 Litovchenko V. G. Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2001. т.Т. 4,N № 2.-С.82-84
|
| 15. | РА313098 Трубіцин Ю. В.Херсон. держ. техн. ун-т. Надчисті структурно досконалі монокристали кремнію для детекторів і приймачів випромінювання [Текст] : Автореф. дис... д-ра техн. наук : 05.27.06.- URL: /ard/2001/
|
| 16. | Ж16425 Agaev F. G. Short-wave photodetectors based on fine grain size poly-Si films [] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2001. т.Т. 4,N № 2.-С.91-92
|
| 17. | Ж60673 Романюк Б. Н. Механизмы аморфизации кремния при ультразвуковом воздействии в процессе ионной имплантации [Текст]: Вып. 36 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.193-198
|
| 18. | Ж60673 Венгер Є. Ф. Дослідження електронної зонної структури поруватого кремнію методом електровідбиття [Текст]: Вып. 36 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.199-211
|
| 19. | РА319978 Оксанич А. П.Харк. нац. ун-т радіоелектрон. Методи та апаратура контролю структурно-геометричної досконалості напівпровідникових матеріалів та структур в умовах їх серійного виробництва [Текст] : Автореф. дис... д-ра техн. наук : 05.27.06.- URL: /ard/2002/
|
| 20. | РА320598 Литвиненко О. О.НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. Формування та дослідження двовимірних фотонних структур на основі макропористого кремнію [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.06.- URL: /ard/2002/
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка
