Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022 + З843.312

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: ДС50434 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано применение пористого кремния (ПК) в различных областях полупроводниковой микроэлектроники. Рассмотрено использование ПК для создания фильтров и газовых сенсоров, для формирования высокопроводящих слоев, контактов и соединительных элементов ИС, резисторов, фотоэлектродов, волноводов, тонких пленок нитрида, оксида или карбида кремния, а также для формирования светоизлучающих структур, антиотражающих покрытий, фотоприемников и солнечных элементов, преобразователей излучения. Проанализированы механизмы электролюминесценции и проблемы, стоящие перед разработчиками оптоэлектронных приборов и возможные пути их решения.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З843.312

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У дисертації досліджено структуру і фізичні властивості кремнійових композицій і приладів із розупорядкованими шарами імплантованого і пористого кремнію. На широкому матеріалі із використанням джерел різнорідної часової приналежності у роботі розглянуті антивіддзеркалювані та гетеруючі властивості шарів імплантованого та пористого кремнію. Проведено комплексні дослідження структурних і фізичних властивостей композицій від умов їх формування. Проведено електрофізичні дослідження отриманих фотоелектричних перетворювачів і транзисторних структур.

  Скачати повний текст

Досліджено фізико-хімічні процеси на межі поділу тверде тіло - досліджуване середовище (рідке або газове). Розроблено нові високочутливі та селективні аналізатори для кількісного визначення іонів важких металів та органічних пестицидів у водяних розчинах, парів аміаку в повітрі. До основи даних розробок покладено два фізичні ефекти: 1) зміна порогової напруги іоночутливої структури електроліт - нітрид кремнію - кремній під час адсорбції іонів водню, утворених внаслідок ферментної реакції; 2) модуляція електропровідності тонких шарів полімерного матеріалу поліаніліну на кремнієвій підкладці під дією пару аміаку.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312-06

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведена оптимизация расчета сигнала отклика сенсорной емкостной структуры типа электролит - диэлектрик - полупроводник (ЭДП) с ионочувствительным слоем нитрида кремния, работающей по принципу измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик такой структуры. Проанализированы физические ограничения, возникающие при построении интегральных сенсорных ЭДП-массивов на основе единой кремниевой подложки. Показано, что оптимальный выбор как конструктивных, так и электрических параметров сенсорного массива позволяет получить независимые выходные сигналы для всех сенсорных каналов массива, обеспечивая его корректную работу.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Радіаційна стійкість напівпровідникових детекторів на основі кремнію, передусім, визначається швидкістю видалення точкових дефектів і скупчень кластерів дефектів. Тому введення електрично неактивної домішки кисню стимулює відведення потоку вакансій від легуючої домішки фосфору. Таким чином, навіть за умови більшого радіуса захоплення вакансій атомом фосфору, висока концентрація кисню пригнічує формування E-центрів. Використання методу трансмутаційного легування дозволяє отримати кремній підвищеної радіаційної стійкості. Попереднє опромінення нейтронами або зарядженими частинками з наступним відпалом також дозволяє підвищити його радіаційну стійкість. Це пов'язано з введенням до складу зазначеного зразка стоків для первинних радіаційних дефектів, що й обумовлює його підвищену радіаційну стійкість.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вивчено питання розробки технології отримання та дослідження електрофізичних параметрів надчистих і структурно досконалих монокристалів Si для детекторів та приймачів випромінювань. Побудовано й експериментально обгрунтовано завершений комплект фізичних і математичних моделей процесів для розрахунку технологічних режимів безтигельного зонного очищення та вирощування надчистих монокристалів Si з заданими електрофізичними та структурними параметрами, визначення придатності полікристалічного Si для отримання надчистих монокристалів Si. Викладено результати комплексного дослідження різноманітних джерел технологічних забруднень. Реалізовано нові додаткові процеси низькотемпературної та радіаційно-термічної реабілітації електрофізичних параметрів надчистих бездислокаційних монокристалів Si та підвищення їх пружності під час механічних операцій. Розглянуто наукові та практичні засади промислових методів високоточного та однорідного легування монокристалів Si різноманітними домішками, нейтронно-трансмутаційного та гамма-трансмутаційного легування Si.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312 + З849-047

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст