Пошуковий запит: (<.>U=З843.33$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 57
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж14161 Федосюк В. М. Сверхтонкие электролитически осажденные многослойные Co/Cu- и CoNi/Cu-пленки на арсениде галлия [Текст] 22: 4 // Металлофизика и новейшие технологии.-С.42-47
|
| 2. | Ж14479 Завадский В. А. Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.7-9
|
| 3. | Ж14479 Андронова Е. В. Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb [Текст]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.46-48
|
| 4. | Ж14479 Круковский С. И. Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.30-32
|
| 5. | Ж14479 Иванов В. Н. Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.54-56
|
| 6. | Ж14479 Зайченко Л. М. Сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред [Текст] / Л. М. Зайченко, А. И. Середюк, В. Д. Фотий, Ю. Ф. Шевчук: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.57-58
|
| 7. | Ж14479 Ковтун Г. П. Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.3-6
|
| 8. | Ж14479 Мелебаева Д. Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni-n-GaAs [Текст] / Д. Мелебаева, Г. Д. Мелебаев, Ю. В. Рудь, В. Ю. Рудь: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.31-34
|
| 9. | Ж14479 Каримов А. В. Арсенид-галлиевые <$Ebold {p sup + ~-~n~-~p sup + }>-структуры с обедняемой базовой областью [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.28-31
|
| 10. | Ж100091 Куликов К. В. Высокочастотные параметры нитрида галлия [Текст]: 2 // Техника и приборы СВЧ.-С.48-52
|
| 11. | Ж14479 Ковалюк З. Д. Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы [Текст]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.61-62
|
| 12. | Ж14479 Андронова Е. В. Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.-С.41-43
|
| 13. | Ж23042 Соколов О. Б. Легування твердих розчинів <$E bold {Bi sub 2 (Te, Se) sub 3}> органічними сполуками, що містять галоген [Текст]: 4 // Термоелектрика.-С.48-56
|
| 14. | Ж60673 Коваленко В. Ф. Определение вакансионного состава монокристаллов полуизолирующего нелегированного арсенида галлия [Текст]: Вып. 37 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.202-208
|
| 15. | Ж60673 Томашик В. Н. Химическое травление нелегированного и легированного арсенида индия в растворах системы HNO3 - HBr - диметилформамид [Текст]: Вып. 36 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.112-117
|
| 16. | Ж67522 Rogozin I. V. Thermodynamical analysis of intrinsic defects in gallium nitride [Текст]: Вып. 13 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.-С.76-78
|
| 17. | Ж67522 Zhirko Yu. I. Excitons in layered p-gase crystals with two-dimension hole gas [Текст]: Вып. 13 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.-С.41-46
|
| 18. | Ж67522 Ptashchenko O. O. Effect of ammonia vapors on the surface morphology and surface current in p - n-junctions on GaP [Текст]: Вып. 14 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.-С.97-100
|
| 19. | Ж60673 Рогозін І. В. Власно-дефектна та домішкова люмінесценція нітриду галію [Текст]: Вып. 40 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.215-222
|
| 20. | Ж27665/рад. эл. Миленин В. В. Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию GaAs [Текст] 49: 9-10, [ч. 1] // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.77-80
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка