Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Уперше методом імпульсного електролітичного осаджування з одного електроліту на підкладках арсеніду галію одержано ультратонкі багатошарові Co/Cu- та CoNi/Cu-плівки з кількістю періодів 5 і 3, оптично прозорі у видимій області спектра, що виявляють властивості справді мультишарової структури - ефект гігантського ізотропного магнітоопору.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33-01

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Рассмотрены анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ.

The investigation results of influence of InSb quantum dots photon absorbtion on GaSb termophotovoltaic cells efficiency are presented. It is shown, that quantum dots introduction allows to expand a spectral range of photosensivity considerably and, thus, to increase efficency of thermophotovoltaic cells. The analysis of optical transitions in InSb quantum dots and dependences of thermophotovoltaic cells efficiency on the quantum dots sizes had allowed to determine optimum type of conductivity and doping level of a matrix material and also to determine optimum quantum dots diameter.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: РА343400 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: полупроводниковый сенсор, вяжущая среда, цементный камень, компаунды.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Thermodynamic analysis in content of intrinsic defects for GaN was carried out. The causes depending the tendency of GaN to monopolar conductivity type were observed. The model for defect formation is suggested.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2 + З843.332

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: РА332436 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332-06

Рубрики:

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив відпалу в радикалах азоту на спектри фотолюмінісценції (ФЛ) бездомішкових і легованих магнієм і цинком плівок нітриду галію. З'ясовано, що внаслідок низькотемпературного відпалу в інтервалі температур 573 - 1073 K у радикалах азоту з'являються нові смуги в області 3,45 і 3,28 еВ. Обговорено природу центрів, відповідальних за формування смуг ФЛ, що спостерігається. Показано, що відпал за таких умов зрушує стехіометрію плівок убік надлишку азоту.

Рассмотрены базовая конструкция и конструктивные особенности однопереходных солнечных элементов (СЭ) на основе арсенида галлия (АГ), технология их изготовления. Проанализирована возможность повышения эффективности и снижения стоимости СЭ на основе АГ за счет совершенствования конструкции и технологии их изготовления, а также за счет создания специальных типов СЭ. Применение концентраторов также позволяет существенно повысить эффективность СЭ из АГ. В настоящее время рекордные значения эффективности для однопереходных СЭ приближаются к 30 %, а для многопереходных СЭ на основе АГ - к 40 %. Повышенная радиационная стойкость и термическая стабильность СЭ на основе АГ обусловливает перспективность применения их также и в космосе.

Пористые конденсаты получены путем совместного осаждения в вакууме паровых потоков, сформированных электронно-лучевым разогревом мишеней хрома и галогенидов натрия. Изучено влияние температуры подложки на характеристики макропористой структуры конденсатов. Установлено, что пористость, тип и форма пор немонотонно зависят от температуры подложки. Максимальные значения пористости и степени вытянутости пор наблюдаются вблизи температуры подложки, при которой происходит смена формы роста кристаллитов от столбчатой к равноосной.

Одержано інтеркальовані зразки селеніду галію з хлоридом заліза. В них виявлено гігантське зростання опору перпендикулярно до шарів під впливом магнітного поля. Результати імпедансних досліджень дозволили запропонувати можливу причину цього явища - магнітну локалізацію носіїв струму.